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2025-01-10 10:49:44等離子體質(zhì)譜: 等離子體質(zhì)譜是一種高效的分析技術(shù)，其工作原理基于等離子體激發(fā)和質(zhì)譜檢測(cè)原理。該技術(shù)利用等離子體的高溫使樣品原子化并激發(fā)成離子，隨后通過質(zhì)譜儀對(duì)離子進(jìn)行質(zhì)量和電荷比的分析，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品中元素的定性和定量分析。等離子體質(zhì)譜具有靈敏度高、分析速度快、多元素同時(shí)檢測(cè)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于地質(zhì)、環(huán)境、材料科學(xué)等領(lǐng)域。

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預(yù)算170萬(wàn) 北京大學(xué)人民醫(yī)院采購(gòu)電感耦合等離子體質(zhì)譜

近日，北京大學(xué)人民醫(yī)院就國(guó)家緊急醫(yī)學(xué)救援基地項(xiàng)目第六批、第七批進(jìn)行公開招標(biāo)，并于2024年11月01日 09點(diǎn)30分開標(biāo)。

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2024-10-12
電感耦合等離子體質(zhì)譜細(xì)胞分析儀
預(yù)算973.5萬(wàn)元中國(guó)海洋大學(xué)采購(gòu)電感耦合等離子體質(zhì)譜聯(lián)用儀

近日，中國(guó)海洋大學(xué)電感耦合等離子體質(zhì)譜聯(lián)用儀、微生物中試發(fā)酵與后處理集成系統(tǒng)等設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目進(jìn)行公開招標(biāo)，并于2024年12月10日 13點(diǎn)00分開標(biāo)。

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2024-11-15
電感耦合等離子體質(zhì)譜聯(lián)用儀
樂楓新品：Genie De-ion 痕量分析用純化取水終端

Genie De-ion 是樂楓專門為痕量分析所打造的純化與取水終端，與智能超純水系統(tǒng)Genie G 或Genie PURIST配合使用，提供超低元素水平的分析級(jí)超純水。

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2022-06-12
痕量分析超純水電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）
激光剝蝕 — 電感耦合等離子體質(zhì)譜元素成像技術(shù)

賽默飛色譜與質(zhì)譜中國(guó) 182
2022-11-09
激光剝蝕 — 電感耦合等離子體質(zhì)譜元素成像技術(shù)

賽默飛色譜與質(zhì)譜中國(guó) 82
2022-11-09

等離子體質(zhì)譜文章

電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)法同時(shí)測(cè)定水系沉積物中痕量鉛和砷的應(yīng)用

沉積物是一種復(fù)雜而非均質(zhì)的基質(zhì)，由鹽類、結(jié)晶礦物、無(wú)晶態(tài)水合金屬氧化物、生物鈣化物顆粒、有機(jī)物等各種成分和相組成。

上海美析儀器有限公司 175
2024-05-09
單顆粒電感耦合等離子體質(zhì)譜分析法的原理與應(yīng)用

 珀金埃爾默 2517
2019-06-24
ICP-MS 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀 NexION

等離子體質(zhì)譜產(chǎn)品

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: ICP-MS / ICP 電感耦合等離子體質(zhì)譜; 國(guó)內(nèi) 上海; 面議; 上海科學(xué)儀器有限公司
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: 安捷倫ICP-MS 7500 電感耦合等離子體質(zhì)譜ICP-MS/MS; 國(guó)外美洲; ￥450000; 俊齊儀器設(shè)備（上海）有限公司
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: PerkinElmer NexION 2200電感耦合等離子體質(zhì)譜ICP-MS; 國(guó)外美洲; 面議; 蘇州賽力威儀器有限公司
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等離子體質(zhì)譜問答

2019-06-24 10:47:35單顆粒電感耦合等離子體質(zhì)譜分析法的原理與應(yīng)用: 納米技術(shù)是一個(gè)快速發(fā)展的新興領(lǐng)域，其發(fā)展和前景也給科學(xué)家和工程師們帶來了許多巨大的挑戰(zhàn)。納米顆粒正在被應(yīng)用于眾多材料和產(chǎn)品之中，如涂料（用于塑料、玻璃和布料等）、遮光劑、KJ繃帶和服裝、MRI造影劑、生物醫(yī)學(xué)元素標(biāo)簽和燃料添加劑等等。然而，納米顆粒的元素組成、顆粒數(shù)量、粒徑和粒徑分布的同步快速表征同樣也是難題。對(duì)于無(wú)機(jī)納米顆粒，Z為滿足上述特點(diǎn)的技術(shù)就是在單顆粒模式下應(yīng)用電感耦合等離子體質(zhì)譜分析法（ICP-MS）。使用ICP-MS分析單納米顆粒時(shí)，需要采用有別于溶解元素測(cè)量的另一種不同方式。本文介紹了單顆粒ICP-MS測(cè)量背后的理論，并通過溶解態(tài)元素的分析進(jìn)行比較，提出差異。了解單顆粒ICP-MS分析如需通過ICP-MS有效地檢測(cè)和測(cè)量單納米顆粒，則需以不同于溶解樣品分析時(shí)的方式操作儀器。溶解樣品和單納米顆粒分析的響應(yīng)信號(hào)如圖1所示。在圖1a中，穩(wěn)態(tài)信號(hào)來自于溶解元素的測(cè)量；檢測(cè)單顆粒時(shí)的信號(hào)呈現(xiàn)脈沖狀，如圖1b中60 nm銀顆粒檢測(cè)信號(hào)所示。在圖1b中，每個(gè)峰代表一個(gè)顆粒。數(shù)據(jù)采集方式的差異是理解單顆粒分析的關(guān)鍵，要理解這部分內(nèi)容，Z為簡(jiǎn)單的方法就是分析與比較溶解態(tài)元素和顆粒測(cè)量時(shí)所涉及的流程。使用ICP-MS進(jìn)行溶解態(tài)分析在測(cè)量溶解態(tài)元素時(shí)，氣溶膠進(jìn)入等離子體，液滴得到去溶劑化與電離化。產(chǎn)生的離子進(jìn)入四極桿，通過其質(zhì)荷比（m/z）進(jìn)行分辨。四極桿在各質(zhì)荷比（m/z）停留一段時(shí)間，然后移動(dòng)到下一質(zhì)荷比（m/z）；各質(zhì)荷比（m/z）的分析時(shí)間被稱作“駐留時(shí)間”。在各駐留時(shí)間的測(cè)量完成之后，執(zhí)行下一次測(cè)量之前，通過一定時(shí)間進(jìn)行電子器件的穩(wěn)定。該時(shí)間段被稱作“穩(wěn)定時(shí)間”，即暫停和處理時(shí)間。在分析溶解態(tài)元素時(shí)，產(chǎn)生的信號(hào)基本上屬于穩(wěn)態(tài)信號(hào)，如圖2a所示。然而，考慮到駐留時(shí)間和穩(wěn)定時(shí)間，由于存在電子器件的穩(wěn)定時(shí)間，因此檢測(cè)信號(hào)其實(shí)是不連續(xù)的，而這是納米顆粒分析時(shí)的一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)（圖2b）。圖1. a）溶解分析物測(cè)量的連續(xù)信號(hào)；b）60 nm銀納米顆粒測(cè)量的信號(hào)。對(duì)于溶解態(tài)離子，因?yàn)樵厝芙獠a(chǎn)生連續(xù)信號(hào)，所以錯(cuò)過的部分信號(hào)并不重要。使用ICP-MS進(jìn)行單顆粒分析以相同于溶解態(tài)溶液的方式，將水溶液中的顆粒引入等離子體。當(dāng)液滴在等離子體中去溶劑化時(shí)，產(chǎn)生的顆粒經(jīng)過電離化產(chǎn)生大量離子（每個(gè)顆粒形成一個(gè)離子云）。隨后，離子進(jìn)入四極桿。然而，使用傳統(tǒng)的ICP-MS數(shù)據(jù)收集方式，且在駐留時(shí)間和穩(wěn)定時(shí)間之間交替時(shí)，無(wú)法始終檢測(cè)到離子云。例如，如果離子云恰好落在駐留時(shí)間窗口內(nèi)，則可以被檢測(cè)到。否則，如果離子云在穩(wěn)定時(shí)間內(nèi)進(jìn)入四極桿或到達(dá)檢測(cè)器，則無(wú)法被檢測(cè)到，從而導(dǎo)致計(jì)數(shù)不準(zhǔn)確。如圖3a所示，如果單顆粒（“信號(hào)”峰）的離子云落在駐留時(shí)間窗口之外，則可能無(wú)法被檢測(cè)到。如圖3b所示，當(dāng)單顆粒的離子云落入駐留時(shí)間窗口內(nèi)時(shí)，可以檢測(cè)到該離子云。當(dāng)快速連續(xù)檢測(cè)到多個(gè)顆粒時(shí)，所得到的信號(hào)是一系列峰，各個(gè)峰都來自于某一顆粒，具體如圖3c所示。圖2. a）溶解態(tài)元素測(cè)量的連續(xù)信號(hào)；b）連續(xù)信號(hào)，其駐留時(shí)間和穩(wěn)定時(shí)間重疊，僅在停留時(shí)間內(nèi)收集數(shù)據(jù)。單顆粒ICP-MS的時(shí)間參數(shù) 圖4顯示的是ICP-MS分析中涉及的時(shí)間參數(shù)。三個(gè)坐標(biāo)軸分別代表信號(hào)強(qiáng)度、質(zhì)荷比（m/z）和時(shí)間。對(duì)于常規(guī)/溶解態(tài)分析，質(zhì)荷比軸和信號(hào)強(qiáng)度軸的重要性Z高：所得出的譜圖是m/z與信號(hào)強(qiáng)度的圖表。在考慮四極桿從質(zhì)荷比到質(zhì)荷比的移動(dòng)速度時(shí)，時(shí)間軸具有重要意義，而此參數(shù)被稱為“四極桿掃描速度”。在測(cè)量瞬態(tài)信號(hào)的多個(gè)元素（如激光燒蝕和多元素形態(tài)分析）時(shí)，四極桿掃描速度具有重要作用。圖3. a）單納米顆粒的信號(hào)落在駐留時(shí)間/測(cè)量窗口之外，因此未被檢測(cè)到；b）單納米顆粒的信號(hào)落入駐留時(shí)間/測(cè)量窗口內(nèi)，因此被檢測(cè)到；c）多個(gè)納米顆粒的信號(hào)落入駐留時(shí)間/測(cè)量窗口內(nèi)并被檢測(cè)到。圖4. ICP-MS分析的時(shí)間參數(shù)。在測(cè)量單個(gè)m/z的瞬態(tài)信號(hào)時(shí)，時(shí)間軸具有較高的重要性，因?yàn)楸仨毇@取足夠的數(shù)據(jù)點(diǎn)以形成一個(gè)數(shù)據(jù)峰。例如，使用HPLC/ICP-MS時(shí)，通常4-10點(diǎn)/秒足以形成一個(gè)峰。HPLC峰與單顆粒信號(hào)之間的對(duì)比顯示，各顆粒離子團(tuán)的峰寬度通常是HPLC產(chǎn)生的峰寬的千分之一。因此，單顆粒分析獲取數(shù)據(jù)的速度必須非常快。時(shí)間軸變?yōu)椤八矐B(tài)數(shù)據(jù)采集速度”，其中涉及駐留時(shí)間和穩(wěn)定時(shí)間。瞬態(tài)數(shù)據(jù)采集速度越快，系統(tǒng)就越適用于單顆粒分析。在單顆粒ICP-MS中，瞬態(tài)數(shù)據(jù)的采集速度由兩個(gè)參數(shù)組成：駐留時(shí)間（讀取時(shí)間）和穩(wěn)定時(shí)間（暫停和處理時(shí)間）。十分重要的是，ICP-MS采集信號(hào)所需的駐留時(shí)間少于顆粒瞬態(tài)時(shí)間，從而避免因部分顆粒合并、顆粒重合和團(tuán)聚/聚集產(chǎn)生的錯(cuò)誤信號(hào)。穩(wěn)定時(shí)間越短，顆粒遺漏的可能性就越小。圖5展示了駐留時(shí)間（100μs）和時(shí)間窗口恒定的條件下，縮短穩(wěn)定時(shí)間的重要性。如圖5a所示，僅有兩個(gè)100μs的窗口用以檢測(cè)顆粒；其余時(shí)間暫停采集信號(hào)，無(wú)法獲取數(shù)據(jù)。在這種情況下，一秒鐘內(nèi)僅進(jìn)行約100次測(cè)量。因此，大部分時(shí)間都被浪費(fèi)了。圖5b采用相同的駐留時(shí)間窗口，但穩(wěn)定時(shí)間為100μs。因此，測(cè)量和尋找納米顆粒所花費(fèi)的時(shí)間更長(zhǎng)，即一秒鐘內(nèi)進(jìn)行約5,000次測(cè)量。但是，仍然有一半的時(shí)間被浪費(fèi)了。圖5c顯示的是不存在穩(wěn)定時(shí)間的理想情況。一秒鐘內(nèi)可進(jìn)行10,000次測(cè)量，不存在時(shí)間浪費(fèi)的情況，所有時(shí)間皆用于尋找納米顆粒，這是單顆粒ICP-MS的理想情況。圖5.穩(wěn)定時(shí)間和駐留時(shí)間對(duì)ICP-MS測(cè)量的影響：a）沉穩(wěn)定時(shí)間比駐留時(shí)間長(zhǎng)得多；b）穩(wěn)定時(shí)間等于駐留時(shí)間；c）不存在穩(wěn)定時(shí)間。圖6.駐留時(shí)間和穩(wěn)定時(shí)間對(duì)單納米顆粒測(cè)量的影響：a）檢測(cè)到兩個(gè)顆粒；b）檢測(cè)到一個(gè)顆粒；c）檢測(cè)到一個(gè)顆粒的前半部分；d）檢測(cè)到一個(gè)顆粒的后半部分；e）未檢測(cè)到顆粒。單顆粒多次測(cè)量：理想情況參見圖6了解快速數(shù)據(jù)采集在單顆粒測(cè)量過程中的重要性。在該圖中，上部表示單顆粒脈沖，其與駐留時(shí)間和穩(wěn)定時(shí)間相關(guān)，而下部則表示相應(yīng)的質(zhì)譜儀響應(yīng)（強(qiáng)度對(duì)時(shí)間）。如圖6a所示，在單一駐留時(shí)間窗口中檢測(cè)到兩個(gè)顆粒，導(dǎo)致響應(yīng)強(qiáng)度相當(dāng)于檢測(cè)到一個(gè)顆粒時(shí)的兩倍，此時(shí)并非理想情況。如果儀器駐留時(shí)間超過納米顆粒的瞬態(tài)脈沖，則很容易遇到這種情況。如圖6b所示，在駐留時(shí)間窗口中檢測(cè)到單個(gè)顆粒，產(chǎn)生的信號(hào)是圖6a的一半大小，得到準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。圖6c和圖6d顯示的是不理想的情況，其中僅檢測(cè)到顆粒的部分離子脈沖，信號(hào)強(qiáng)度因此較小，無(wú)法jing準(zhǔn)確定顆粒的尺寸。圖6e顯示的是Z不理想的情況，其中的顆粒落在駐留時(shí)間窗口之外，并未被檢測(cè)到。這些例子證明了快速連續(xù)數(shù)據(jù)采集功能的重要性。在該功能中，數(shù)據(jù)的連續(xù)采集不受到穩(wěn)定時(shí)間的影響，保證了顆粒計(jì)數(shù)的準(zhǔn)確性，使每個(gè)進(jìn)入等離子體的顆粒都被納入計(jì)數(shù)。快速連續(xù)數(shù)據(jù)采集的另一個(gè)好處是可以從單個(gè)顆粒獲得多個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，從而消除顆粒遺漏，或僅檢測(cè)到顆粒部分離子云的情況。圖7顯示了具體的測(cè)量方法。如圖7a所示，來自單個(gè)顆粒的信號(hào)經(jīng)過多次測(cè)量。將各時(shí)間片段的信號(hào)繪制成圖，構(gòu)成一個(gè)峰。當(dāng)檢測(cè)到多個(gè)顆粒時(shí)，產(chǎn)生的峰是一系列時(shí)間片段，具體如圖7b所示。圖8a和8b顯示了數(shù)據(jù)點(diǎn)如何繪制為單顆粒的信號(hào)峰。如圖8a所示，以快速連續(xù)模式（無(wú)穩(wěn)定時(shí)間）收集數(shù)據(jù)時(shí)，駐留時(shí)間為100 μs。在前1.6秒，可以看出峰由6個(gè)點(diǎn)確定。如圖8b所示，駐留時(shí)間減少至50 μs，可使獲取的數(shù)據(jù)點(diǎn)達(dá)到兩倍之多。因此，峰形由12個(gè)點(diǎn)確定，峰形更加明確。這一示例證明了盡可能多采集數(shù)據(jù)點(diǎn)的好處。圖7.各顆粒多個(gè)測(cè)量值的測(cè)量對(duì)以下方面的影響：a）單顆粒；及b）順序檢測(cè)的多顆粒。圖8.取得各顆粒多個(gè)測(cè)量值的能力：a）各顆粒的6個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)；b）各顆粒的12個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)。總結(jié)如上文所述，相較于溶解態(tài)元素的測(cè)量，使用ICP-MS測(cè)量單顆粒有著很大不同。在測(cè)量單顆粒時(shí)，Z重要的因素是獲取數(shù)據(jù)的速度：由于顆粒電離時(shí)間大約為微秒級(jí)，因此關(guān)鍵的是保證快速數(shù)據(jù)采集，以及在多次測(cè)量之間消除穩(wěn)定時(shí)間。連續(xù)測(cè)量功能支持單顆粒電離后被多次讀數(shù)，這有助于更為準(zhǔn)確地確定顆粒尺寸。對(duì)于單顆粒ICP-MS分析，在小于或等于100 μs的駐留時(shí)間內(nèi)進(jìn)行連續(xù)數(shù)據(jù)采集是納米顆粒精確計(jì)數(shù)和粒度確定的Z重要儀器要求。

2023-03-14 12:04:54等離子去膠機(jī)（Plasma Cleaner）: 等離子去膠機(jī)（Plasma Cleaner）為何要去除光刻膠？在現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，會(huì)大量使用光刻膠來將電路板圖圖形通過掩模版和光刻膠的感光與顯影，轉(zhuǎn)移到晶圓光刻膠上，從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形，然后在光刻膠的保護(hù)下，對(duì)下層薄膜或晶圓基底完成進(jìn)行圖形刻蝕或離子注入，最后再將原有的光刻膠徹底去除。去膠是光刻工藝中的最后一步。在刻蝕/離子注入等圖形化工藝完成后，晶圓表面剩余光刻膠已完成圖形轉(zhuǎn)移和保護(hù)層的功能，通過去膠工藝進(jìn)行完全清除。光刻膠去除是微加工工藝過程中非常重要的環(huán)節(jié)，光刻膠是否徹底去除干凈、對(duì)樣片是否有造成損傷，都會(huì)直接影響后續(xù)集成電路芯片制造工藝效果。半導(dǎo)體光刻膠去除工藝有哪些？半導(dǎo)體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據(jù)去膠介質(zhì)的差異，分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類別。干式去膠適合大部分去膠工藝，去膠徹底且速度快，是現(xiàn)有去膠工藝中zui好的方式。一、等離子去膠機(jī)簡(jiǎn)述：氧等離子去膠是利用氧氣在微波發(fā)生器的作用下產(chǎn)生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機(jī)聚合物發(fā)生氧化反應(yīng)，使有機(jī)聚合物被氧化成水蒸汽和二氧化碳等排除腔室，從而達(dá)到去除光刻膠的目的，這個(gè)過程我們有時(shí)候也稱之為灰化或者剝離。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡(jiǎn)單、適應(yīng)性更好，去膠過程純干法工藝，無(wú)液體或者有機(jī)溶劑參與。當(dāng)然我們需要注意的是，這里并不是說氧等離子去膠工藝100%好于濕法去膠，同時(shí)也不是所有的光刻膠都適用于氧等離子去膠，以下幾種情形我們需要注意：① 部分穩(wěn)定性極高的光刻膠如SU-8、PI（聚酰亞胺），往往膠厚也比較大，純氧等離子體去膠速率也比較有限，為了保證快速去膠，往往還會(huì)在工藝氣體中增加氟基氣體增加去膠速率，因此不只是氧氣是反應(yīng)氣體，有時(shí)候我們也需要其他氣體參與；② 涂膠后形成類非晶態(tài)二氧化硅的HSQ光刻膠。由于其構(gòu)成并不是單純的碳?xì)溲酰允菬o(wú)法使用氧等離子去膠機(jī)來實(shí)現(xiàn)去膠；③ 當(dāng)我們的樣品中有其他需要保留的結(jié)構(gòu)層本身就是有機(jī)聚合物構(gòu)成的，在等離子去膠的過程中，這些需要保留的層也可能會(huì)在氧等離子下發(fā)生損傷；④ 樣品是由容易氧化的材料或者有易氧化的結(jié)構(gòu)層，氧等離子去膠過程，這些材料也會(huì)被氧化，如金屬AG、C、CR、Fe以及Al，非金屬的石墨烯等二維材料；市面上常見氧等離子去膠機(jī)按照頻率可分為微波等離子去膠機(jī)和射頻等離子去膠機(jī)兩種，微波等離子去膠機(jī)的工作頻率為2.45GHz，射頻等離子去膠機(jī)的工作頻率為13.5MHz，更高的頻率決定了等離子體擁有更高的離子濃度、更小的自偏壓，更高的離子濃度決定了去膠速度更快，效率更高；更低的自偏壓決定了其對(duì)襯底的刻蝕效應(yīng)更小，也意味著去膠過程中對(duì)襯底無(wú)損傷，而射頻等離子去膠機(jī)其工作原理與刻蝕機(jī)相似，結(jié)構(gòu)上更加簡(jiǎn)單。因此，在光電器件的加工中，去膠機(jī)的選擇更推薦使用損傷更小的微波等離子去膠機(jī)。二、等離子清洗去膠機(jī)的工作原理：氧氣是干式等離子體脫膠技術(shù)中的首要腐蝕氣體。它在真空等離子體脫膠機(jī)反應(yīng)室內(nèi)高頻和微波能的作用下，電離產(chǎn)生氧離子、自由氧原子O*、氧分子和電子混合的等離子體，其間氧化能力強(qiáng)的自由氧原子（約10-20%）在高頻電壓作用下與光刻膠膜發(fā)生反應(yīng)：O2→O*+O*，CxHy+O*→CO2↑+H2O↑。反應(yīng)后產(chǎn)生的CO2和H2O然后被抽走。三、等離子去膠機(jī)的優(yōu)勢(shì)：1、等離子清洗機(jī)的加工過程易于控制、可重復(fù)且易于自動(dòng)化；使用等離子掃膠機(jī)可以使得清洗效率獲得更大的提高。整個(gè)清洗工藝流程幾分鐘內(nèi)即可完成，因此具有產(chǎn)率高的特點(diǎn)2、等離子掃膠機(jī)清洗對(duì)象經(jīng)等離子清洗之后是干燥的，不需要再經(jīng)干燥處理即可送往下一道工序，可以提高整個(gè)工藝流水線的處理效率；3、等離子掃膠機(jī)使得用戶可以遠(yuǎn)離有害溶劑對(duì)人體的傷害，同時(shí)也避免了濕法清洗中容易洗壞清洗對(duì)象的問題；4、避免使用ODS有害溶劑，這樣清洗后不會(huì)產(chǎn)生有害污染物，因此這種清洗方法屬于環(huán)保的綠色清洗方法；5、等離子去膠機(jī)采用無(wú)線電波范圍的高頻產(chǎn)生的等離子體與激光等直射光線不同，等離子體的方向性不強(qiáng)，這使得它可以深入到物體的微細(xì)孔眼和凹陷的內(nèi)部完成清洗任務(wù)，因此不需要過多考慮被清洗物體的形狀；6、等離子去膠機(jī)在完成清洗去污的同時(shí)，還可以改良材料本身的表面性能，如提高表面的潤(rùn)濕性能、改良膜的黏著力等，這在許多應(yīng)用中都是非常重要的。四、等離子去膠的主要影響因素：頻率選擇：頻率越高，氧越易電離形成等離子體。頻率太高，以至電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子碰撞幾率反而減少，使電離率降低。一般常用頻率為 13.56MHz及2.45GHZ 。功率影響：對(duì)于一定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當(dāng)功率增大到一定值，反應(yīng)所能消耗的活性離子達(dá)到飽和，功率再大，去膠速度則無(wú)明顯增加。由于功率大，基片溫度高，所以應(yīng)根據(jù)工藝需要調(diào)節(jié)功率。真空度的選擇：適當(dāng)提高真空度，可使電子運(yùn)動(dòng)的平均自由程變大，因而從電場(chǎng)獲得的能量就大，有利電離。另外當(dāng)氧氣流量一定時(shí)，真空度越高，則氧的相對(duì)比例就大，產(chǎn)生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會(huì)減小。氧氣流量的影響：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加快；但流量太大，則離子的復(fù)合幾率增大，電子運(yùn)動(dòng)的平均自由程縮短，電離強(qiáng)度反而下降。若反應(yīng)室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也增加，其中尚沒參加反應(yīng)的活性粒子抽出量也隨之增加，因此流量增加對(duì)去膠速率的影響也就不甚明顯。五、等離子去膠機(jī)的應(yīng)用：1、光刻膠的去除、剝離或灰化2、SU-8的去除/ 犧牲層的去除3、有機(jī)高分子聚合物的去除4、等離子去除殘膠/去浮渣/打底膜5、失效分析中的扁平化處理6、表面沾污清除和內(nèi)腐蝕（深腐蝕）應(yīng)用7、清洗微電子元件，電路板上的鉆孔或銅線框架8、剝離金屬化工藝前去除浮渣9、提高黏附性，消除鍵合問題10、塑料的表面改型：O2處理以改進(jìn)涂覆性能11、產(chǎn)生親水或疏水表面

2025-01-20 19:45:14鐵譜儀多少錢: 鐵譜儀多少錢：影響鐵譜儀價(jià)格的因素分析鐵譜儀作為一種用于金屬材料分析的先進(jìn)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于冶金、機(jī)械加工、汽車、航空航天等行業(yè)。其主要功能是通過分析金屬表面形成的鐵譜，幫助用戶掌握材料的成分、性能等關(guān)鍵信息，提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。許多人在購(gòu)買鐵譜儀時(shí)，常常會(huì)關(guān)注其價(jià)格問題。本文將從多個(gè)角度分析鐵譜儀的價(jià)格區(qū)間，幫助您了解影響其定價(jià)的主要因素，做出明智的采購(gòu)決策。 1. 鐵譜儀的類型與技術(shù)參數(shù) 鐵譜儀的價(jià)格受其類型和技術(shù)規(guī)格的直接影響。市面上常見的鐵譜儀有手持式和臺(tái)式兩種，手持式鐵譜儀相對(duì)便宜，適用于小型檢測(cè)需求，而臺(tái)式鐵譜儀則適合更復(fù)雜的金屬分析，具備更高的測(cè)量精度和更強(qiáng)大的功能。這些不同類型的鐵譜儀根據(jù)測(cè)量范圍、檢測(cè)精度、數(shù)據(jù)處理能力等參數(shù)的差異，價(jià)格差異也較大。一般來說，手持式鐵譜儀的價(jià)格可能在幾千元到一萬(wàn)元之間，而臺(tái)式鐵譜儀的價(jià)格則可能高達(dá)幾萬(wàn)元甚至更高。 2. 品牌與制造商的影響品牌影響力是鐵譜儀價(jià)格的另一大因素。知名品牌的鐵譜儀通常會(huì)在技術(shù)創(chuàng)新、性能穩(wěn)定性、售后服務(wù)等方面具有明顯優(yōu)勢(shì)，因此其價(jià)格往往較高。而一些非主流品牌的鐵譜儀價(jià)格較為親民，但在產(chǎn)品的質(zhì)量保障和技術(shù)支持方面可能存在一定差距。因此，用戶在選擇鐵譜儀時(shí)，除了關(guān)注價(jià)格外，還應(yīng)考慮品牌的信譽(yù)度和制造商的技術(shù)服務(wù)能力。 3. 設(shè)備的附加功能與定制化需求現(xiàn)代鐵譜儀往往配備一些附加功能，如無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸、實(shí)時(shí)分析、自動(dòng)報(bào)告生成等，這些功能能夠顯著提高操作的便捷性和數(shù)據(jù)處理的效率。因此，具備更多功能的鐵譜儀通常價(jià)格較高。一些客戶可能有特殊的定制需求，比如特定的測(cè)量范圍或者針對(duì)特定行業(yè)的應(yīng)用，定制化的鐵譜儀往往會(huì)比標(biāo)準(zhǔn)版本貴上不少。 4. 市場(chǎng)供需與售后服務(wù) 鐵譜儀的價(jià)格還會(huì)受到市場(chǎng)供需關(guān)系的影響。隨著國(guó)內(nèi)外對(duì)鐵譜儀需求的增加，市場(chǎng)上許多制造商都在加大生產(chǎn)力度，導(dǎo)致競(jìng)爭(zhēng)加劇。這種競(jìng)爭(zhēng)有時(shí)會(huì)壓低價(jià)格，但也可能因?yàn)榧夹g(shù)進(jìn)步而帶來價(jià)格的提升。售后服務(wù)也是價(jià)格的重要組成部分，一些提供較長(zhǎng)質(zhì)保期和全面技術(shù)支持的廠商，其鐵譜儀價(jià)格通常也會(huì)更高。 5. 結(jié)論總體而言，鐵譜儀的價(jià)格是由多個(gè)因素共同作用的結(jié)果。用戶在采購(gòu)時(shí)不僅要關(guān)注設(shè)備的初期投資，還需考慮其性能、品牌、功能以及售后服務(wù)等方面。通過綜合評(píng)估這些因素，可以在滿足使用需求的基礎(chǔ)上，選擇性價(jià)比高的產(chǎn)品，確保獲得佳的投資回報(bào)。如果您對(duì)鐵譜儀的具體型號(hào)和價(jià)格有所疑問，可以聯(lián)系相關(guān)供應(yīng)商進(jìn)行詳細(xì)咨詢，以確保選購(gòu)到符合實(shí)際需求的設(shè)備。

2024-04-26 11:21:59空氣消毒機(jī)除了等離子紫外線臭氧還有其他消毒方式嗎: 空氣消毒機(jī)除了等離子紫外線臭氧還有其他方式嗎？

2022-08-25 11:12:04揭秘遠(yuǎn)程微波等離子去膠機(jī): NPC-3500型微波等離子去膠機(jī)微波等離子去膠機(jī)工作原理：為了產(chǎn)生等離子，系統(tǒng)使用遠(yuǎn)程微波源。氧在真空環(huán)境下受高頻及微波能量作用，電離產(chǎn)生具有強(qiáng)氧化能力的游離態(tài)氧原子，它在高頻電壓作用下與光刻膠薄膜反應(yīng)，反應(yīng)后生成的 CO2 和 H2O 通過真空系統(tǒng)被抽走。CF4 氣體可以達(dá)到更快速的去膠速率，尤其對(duì)于難以去除的光刻膠也具備出色的去除能力。在微波等離子體氛圍中，活性氣體被等離子化，將跟光刻膠產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)生產(chǎn)的化合物通過真空泵被快速抽走，可以達(dá)到高效的去膠效果。該去膠機(jī)微波源為遠(yuǎn)程微波源，轟擊性的離子將被過濾掉之后微波等離子進(jìn)入到工藝腔室參與反應(yīng)，因此可以實(shí)現(xiàn)無(wú)損的去膠。微波等離子去膠機(jī)主要用途：MEMS壓力傳感器加工工藝中光刻膠批量處理；去除有機(jī)或無(wú)機(jī)物，而無(wú)殘留；去膠渣、深刻蝕應(yīng)用；半導(dǎo)體晶圓制造中光刻膠及SU8工藝；平板顯示生產(chǎn)中等離子體預(yù)處理；太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中邊緣絕緣和制絨；先進(jìn)晶片(芯片)封裝中的襯底清潔和預(yù)處理；NANO-MASTER微波等離子去膠機(jī)系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)：1）Downstream結(jié)構(gòu)，等離子分布均勻；2）遠(yuǎn)程微波，無(wú)損傷；3）遠(yuǎn)程微波，支持金屬材質(zhì)；4）批處理，一次可支持1-25片；5）微波等離子，可以深入1um以內(nèi)的孔隙進(jìn)行清洗；6）光刻膠去除的方式為化學(xué)方式，而非物理轟擊，可實(shí)現(xiàn)等離子360度全方位的分布；7）旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)，進(jìn)一步提高去膠的均勻性。8) 腔體內(nèi)無(wú)電極，更高潔凈度；9）微波波段無(wú)紫外排放，操作更安全；10）高電子密度，去膠效率高。