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2025-01-21 09:33:05無接觸供餐: 無接觸供餐是指在餐飲服務(wù)中，通過減少人與人之間的直接接觸來保障公共衛(wèi)生安全的一種供餐方式。它通常涉及在線點(diǎn)餐、無接觸配送、自助取餐等環(huán)節(jié)，避免了服務(wù)員與顧客之間的面對面交流。這種方式在疫情期間尤為重要，能有效降低病毒傳播的風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí)，它也提高了供餐效率，為顧客提供了更加便捷、安全的用餐體驗(yàn)。

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無接觸供餐資訊

山東市監(jiān)局發(fā)布《餐飲提供者無接觸供餐實(shí)施指南》

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了特殊公共衛(wèi)生事件期間和日常餐飲服務(wù)提供過程中，無接觸供餐過程要求、無接觸供餐外圍要求、監(jiān)視檢查、信息追溯等要求。

841
2020-04-04
餐飲提供者無接觸供餐實(shí)施指南

無接觸供餐產(chǎn)品

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無接觸供餐問答

2023-06-26 14:52:50無損無接觸定量評(píng)價(jià)！GaN晶體質(zhì)量評(píng)估新思路——ODPL法！: 隨著疫情三年的結(jié)束，大家又開始馬不停蹄出差、旅游、返鄉(xiāng)，生活的壓力讓人喘不過氣。更別提出行的時(shí)候，還需要背一個(gè)很沉的電腦，以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規(guī)律的、看著就很糟心的電源適配器！有沒有一種東西，能夠讓大家的出行變得更加輕松（物理上）？那必須是現(xiàn)在越來越流行的氮化鎵（GaN）充電器了！一個(gè)氮化鎵充電器幾乎可以滿足所有出行充電的需求，并且占地空間小，簡直是出行神器！圖1 氮化鎵（GaN）充電器氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場強(qiáng)度和高電子飽和速度等特點(diǎn)，其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗，大大提升電力器件集成度，簡化了電路設(shè)計(jì)和散熱支持，具有重要的價(jià)值和廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)在最火熱的第三代半導(dǎo)體材料，沒有之一。GaN的應(yīng)用不止在流行的充電器上，早在2014年日本科學(xué)家天野浩就憑借基于GaN材料的藍(lán)光LED獲得了諾貝爾獎(jiǎng)。不過GaN就沒有缺點(diǎn)了嗎？或者說GaN沒有改善的地方了嗎？并不是， GaN技術(shù)的難點(diǎn)在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無法從自然界中直接獲取，所以GaN的主要制備方法是在藍(lán)寶石、碳化硅、硅等異質(zhì)襯底上進(jìn)行外延。而現(xiàn)在由異質(zhì)外延生長的GaN普遍存在大量缺陷的問題。缺陷的存在勢必會(huì)影響到晶體的質(zhì)量，從而影響到材料和器件的電學(xué)性能，最終影響到未來半導(dǎo)體科技的快速發(fā)展。因此，降低GaN晶體里面的缺陷量，提高晶體質(zhì)量，是當(dāng)前第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研究很重要的一個(gè)課題。GaN晶體質(zhì)量/缺陷評(píng)估的方法GaN晶體里面的雜質(zhì)、缺陷是非常錯(cuò)綜復(fù)雜的，無法單純通過某一項(xiàng)缺陷濃度或者雜質(zhì)含量來定量描述GaN晶體是否是高質(zhì)量，因此現(xiàn)在評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的手段比較有限。根據(jù)現(xiàn)有的報(bào)道，大致有以下幾種：多光子激發(fā)光致發(fā)光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，簡稱MPPL）、蝕坑觀察法（Etch pit method）以及二次離子質(zhì)譜（Secondary-ion mass spectrometry，簡稱SIMS)。MPPL法多光子激發(fā)光致發(fā)光法采用長波長激發(fā)，遠(yuǎn)大于帶邊熒光波長。激發(fā)過程需要同時(shí)吸收二個(gè)或者多個(gè)光子。通過吸收多個(gè)脈沖光子，在導(dǎo)帶和價(jià)帶形成電子空穴對，隨后非輻射馳豫到導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂,最后產(chǎn)生帶邊發(fā)光和缺陷發(fā)光。通過濾波片獲得帶邊和缺陷發(fā)光光譜和光強(qiáng)，改變?nèi)肷涔獍叩奈恢茫瑥亩玫綐悠返臒晒庑盘?hào)三維分布，即三維成像。多光子熒光三維成像技術(shù)可以識(shí)別和區(qū)分不同類型的位錯(cuò)，但是無法定量評(píng)估GaN的晶體質(zhì)量，而且多光子激發(fā)的系統(tǒng)造價(jià)高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻(xiàn)：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過適當(dāng)?shù)那治g可以看到位錯(cuò)的表面露頭，產(chǎn)生比較深的腐蝕坑，借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯(cuò)多少及其分布。該方法只適合于位錯(cuò)密度低的晶體，如果位錯(cuò)密度高，蝕坑互相重疊，就很難將它們區(qū)分。并且該方法是對晶體有損傷的，做不到無損無接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術(shù)SIMS是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素分析，并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結(jié)構(gòu)的信息。二次離子質(zhì)譜儀具有ppm量級(jí)的靈敏度，最高甚至達(dá)到ppb的量級(jí)，還具有進(jìn)行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對晶體有損傷，無法做到無損。圖4 SIMS技術(shù)以上三種技術(shù)均是評(píng)估GaN晶體缺陷的方法，但是每一種都有其缺憾的地方，它們無法做到定量的去評(píng)價(jià)GaN晶體的質(zhì)量，而且具有破壞性。為了更好地定量評(píng)估GaN晶體質(zhì)量，濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開始合作研發(fā)了一套基于積分球的全向光致發(fā)光系統(tǒng)（Omnidirectional Photoluminescence，以下簡稱ODPL），該系統(tǒng)是第一個(gè)無損無接觸定量去評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的方法/系統(tǒng)。ODPL系統(tǒng)ODPL系統(tǒng)是首個(gè)無接觸無損評(píng)價(jià)半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的方法，通過積分球法測量半導(dǎo)體材料、鈣鈦礦材料的內(nèi)量子效率。該產(chǎn)品可以直接測量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測量方法示意圖傳統(tǒng)光致發(fā)光的量子效率測量指的是晶體的PLQY，即光致發(fā)光量子效率，其定義為：PLQY = 樣品發(fā)射的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖6 GaN樣品在積分球下的發(fā)射光譜PLQY是表征晶體發(fā)光效率最常見的參數(shù)之一，對于絕大多數(shù)的發(fā)光材料，PLQY都是黃金標(biāo)準(zhǔn)。但是對于GaN晶體，PLQY的表征顯得不足。上圖可見，GaN的光致發(fā)射光譜呈雙峰形狀，這是由于GaN晶體中的缺陷等，會(huì)將GaN本身發(fā)射的PL再次吸收然后發(fā)射（光子回收Photon Recycling現(xiàn)象）。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因?yàn)榇嬖赑hoton Recycling的現(xiàn)象，GaN的PLQY不足以表征其發(fā)光轉(zhuǎn)化效率，而真正可以表征GaN晶體發(fā)光轉(zhuǎn)化效率的定義是其真正的內(nèi)量子效率：IQE = 樣品產(chǎn)生的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖8 GaN樣品的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現(xiàn)象以后的參數(shù)，更能直觀、定量反映GaN晶體的質(zhì)量。圖9 高IQE和低IQE晶體的對比高IQE的GaN晶體通常表現(xiàn)為：高載流子濃度、低穿透位錯(cuò)密度、低雜質(zhì)濃度、低點(diǎn)缺陷濃度、高激發(fā)功率密度。圖10 不同穿透位錯(cuò)密度晶體的IQE結(jié)果對比免費(fèi)樣機(jī)預(yù)約ODPL現(xiàn)在ODPL樣機(jī)開放免費(fèi)預(yù)約試用活動(dòng)，有意向的客戶請?jiān)谠u(píng)論區(qū)留言“樣機(jī)試用”小編看到之后會(huì)第一時(shí)間與您聯(lián)系，樣機(jī)數(shù)量有限，先到先得喲~圖11 ODPL樣機(jī)展示以上有關(guān)新品的信息已經(jīng)全部介紹完畢了，如有任何疑問，歡迎在評(píng)論區(qū)留言喲。

2021-10-12 12:48:10食品接觸材料遷移池: 食品接觸材料遷移池該器具用于安裝、固定待測試樣，并注入食品模擬物進(jìn)行遷移試驗(yàn)預(yù)處理操作。器具符合國家標(biāo)準(zhǔn)GB 5009.156-2016《食品安全國家標(biāo)準(zhǔn) 食品接觸材料及制品遷移試驗(yàn)預(yù)處理方法通則》的要求，接觸主體材質(zhì)采用符合美國牌號(hào)要求的高品質(zhì)不銹鋼，不會(huì)析出微量物質(zhì)污染食品模擬物。遷移池主要參數(shù)固定板：140×140mm試驗(yàn)池：Φ110mm材質(zhì)：食品級(jí)不銹鋼填充體積:190ml觸面高度:約20mm試驗(yàn)面積:95㎡×2尺寸：140×140×60mm重量：2.6kg標(biāo)準(zhǔn)配置：不銹鋼試驗(yàn)池、O型密封圈、上下壓板、定位環(huán) 遷移池技術(shù)特征：★主體采用高品質(zhì)不銹鋼，材料本身無微量物質(zhì)析出★兩個(gè)試樣面可同時(shí)接觸食品模擬物，提高了接觸面積★采用耐高溫、耐腐蝕、自清潔的密封圈，確保密封性能良好，保證了各類模擬物在試驗(yàn)過程中無泄漏、無揮發(fā)★遷移測試池的密封結(jié)構(gòu)，確保了試樣測試面積之外的部分不與食品模擬物接觸，保證了測試面積的有效性★適用于范圍更廣的材料做遷移試驗(yàn)預(yù)處理遷移池試驗(yàn)方法:1、對角的方式松開旋入式連接，移去頂端固定板。2、將材料樣品放置到固定板上，待測的表面面向食物模擬物。3、放置定位器和合適的心環(huán)。4、將第二個(gè)材料樣品放到心環(huán)上，待測的表面面向食物模擬物。5、放上頂端固定板和O型密封圈。6、對角的方式擰緊不銹鋼滾花平頭螺絲。7、使遷移池豎直。8、移去密封帽，插入漏斗。9、向心環(huán)中加入食物模擬物。10、蓋上密封帽密封。11、將遷移池保持豎直方向放入必要溫度的干燥箱中。12、然后，將遷移池從干燥箱中取出（警告：很熱！），冷卻到室溫后小心打開。食品接觸材料遷移池

2021-11-29 11:06:02Tip 10000ul吸嘴無DNA酶無RNA酶無熱源吸頭: Tip 10000ul吸嘴無DNA酶無RNA酶無熱源吸頭，大口本生(天津)健康科技有限公司：http://www.bunsen17.com/ 本生生物供應(yīng)：光度計(jì)，檢測儀，免疫儀，全系熒光定量PCR耗材，移液器，鉆石吸嘴，離心管，凍存管，培養(yǎng)皿，培養(yǎng)板，培養(yǎng)瓶，吸頭，儀器及手套，色譜耗材，針頭過濾器。產(chǎn)品名稱：Tip 10000ul吸嘴，無色，無DNA酶無RNA酶無熱源，袋裝非滅菌，大口產(chǎn)品規(guī)格：100支/包，10包/箱（1000支/箱）CG編號(hào) 產(chǎn)品描述包裝規(guī)格通用型移液器吸嘴，BASIX加長吸嘴23-2033 Tip 10000ul吸嘴，無色，無DNA酶無RNA酶無熱源，袋裝非滅菌，大口 100支/包，10包/箱（1000支/箱）Tip 10000ul吸嘴無DNA酶無RNA酶無熱源吸頭適應(yīng)客戶：醫(yī)院檢驗(yàn)科PCR實(shí)驗(yàn)室，實(shí)驗(yàn)室；第三方檢測機(jī)構(gòu)，科研院所，大專院校，制藥廠，試劑生產(chǎn)廠家，疾控，檢驗(yàn)檢疫。

2020-06-28 16:10:12手掌溫檢測儀近距離紅外測溫儀快速無接觸測溫

2022-11-08 10:08:09非接觸式透鏡厚度測量利器光纖微裂紋檢測儀（OLI）: 在光學(xué)領(lǐng)域，透鏡是光學(xué)系統(tǒng)中最重要的組成元件，現(xiàn)代的光學(xué)儀器對透鏡的成像質(zhì)量和光程控制有很高的要求。尤其在透鏡的制造要求上，加工出的透鏡尺寸，其公差必須控制在允許范圍內(nèi)，因此需要在生產(chǎn)線上形成對透鏡厚度實(shí)時(shí)、自動(dòng)、精準(zhǔn)的檢測，這對提高產(chǎn)線的生產(chǎn)效率和控制產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要意義。目前，測量透鏡中心厚度的方法主要分為接觸式測量和非接觸式測量。接觸式測量有很多弊端，如不能準(zhǔn)確找到透鏡的中心點(diǎn)(最高點(diǎn)或最低點(diǎn))，測量時(shí)需要來回移動(dòng)透鏡，效率不高，容易劃傷透鏡的玻璃表面。而非接觸測量一般采用光學(xué)的方法，能有效避免這些測量缺陷，由東隆科技自研的光纖微裂紋檢測儀（OLI）不僅可以快速精準(zhǔn)測試出透鏡的厚度，而且也不會(huì)對透鏡表面造成劃傷。下面，讓我們學(xué)習(xí)下光纖微裂紋檢測儀（OLI）是如何高效的測量手機(jī)鏡頭的折射率和厚度。光纖微裂紋檢測儀（OLI）1、 OLI測量透鏡厚度使用光纖微裂紋檢測儀（OLI）測量凸透鏡中心厚度，如圖1.所示，準(zhǔn)備一根匹配好測試長度的光纖跳線，一端接入設(shè)備DUT口，另外一端垂直對準(zhǔn)透鏡，讓接頭和透鏡之間預(yù)留一定距離，同時(shí)使用OLI進(jìn)行測量。圖1. 測量系統(tǒng)示意圖測量結(jié)果如圖2.所示，圖中共有3個(gè)峰值，第1個(gè)峰值為FC/APC接頭端面的反射，第2個(gè)峰值為空氣到透鏡第一個(gè)面的反射，第3個(gè)峰值為透鏡第二個(gè)面到空氣的反射。圖2.凸透鏡厚度測試結(jié)果圖峰值1和2之間的距離為3.876mm，峰值2和3之間的距離為20.52mm，圖2中測得各峰值間距是在設(shè)備默認(rèn)折射率n1=1.467下測得，而空氣的折射率n2=1玻璃透鏡的折射率n3=1.6，所以空氣段的實(shí)際長度為：L空=3.876*n1/n2=5.686mm，透鏡的實(shí)際厚度為L鏡=20.52*n1/n3=18.814mm。使用游標(biāo)卡尺測量凸透鏡的厚度為19.02mm，和測試結(jié)果偏差0.2mm，可能是玻璃透鏡的實(shí)際折射率與計(jì)算所用到的折射率1.6有偏差導(dǎo)致的。2、OLI測量鏡底折射率和厚度將圖1.測量系統(tǒng)中的凸透鏡換成手機(jī)攝像頭的玻璃鏡底，使用光纖微裂紋檢測儀（OLI）對3種不同厚度的玻璃鏡底進(jìn)行測量，圖3.為測試玻璃鏡底實(shí)物圖，用游標(biāo)卡尺測量三種玻璃鏡底的厚度分別為0.7mm、1.5mm和2.0mm。圖3.玻璃鏡底實(shí)物圖光纖微裂紋檢測儀（OLI）測量結(jié)果如圖4.所示，為5次測量平均后的結(jié)果，從圖中可以看出三種鏡底的測試厚度分別為1.075mm、2.301mm、3.076mm。圖4.三種鏡底厚度測試結(jié)果圖三種玻璃鏡底的材質(zhì)一樣其折射率一致，圖4.中設(shè)備測得玻璃鏡底厚度與游標(biāo)卡尺測得厚度不一致，因?yàn)槭窃谠O(shè)備默認(rèn)折射率n1=1.467下測得、實(shí)際玻璃鏡底折射率為n鏡=1.075*1.467/0.7=2.253，將設(shè)備折射率修改為2.253直接得出三款玻璃鏡底的厚度為：0.699mm 、1.498mm、2.003mm，設(shè)備測得結(jié)果與游標(biāo)卡尺測量偏差不超過5um，證明OLI非接觸測試透鏡厚度十分精準(zhǔn)。3、結(jié)論使用光纖微裂紋檢測儀（OLI）非接觸測試各種透鏡的折射率和厚度，其測量精度在亞微米級(jí)別，相對于接觸式測量透鏡厚度，精度提升很大，同時(shí)也避免測量時(shí)透鏡表面被劃傷。將光纖微裂紋檢測儀（OLI）非接觸式測量透鏡厚度的方法應(yīng)用到生產(chǎn)車間內(nèi)，可形成自動(dòng)化檢測產(chǎn)線，無需人為干預(yù)即可準(zhǔn)確甄別出質(zhì)量不合格產(chǎn)品，極大提升生產(chǎn)效率。