- 2025-01-21 09:32:41射頻識別技術
- 射頻識別技術（RFID）是一種通過無線電信號識別特定目標并讀取相關數據的無線通信技術。它無需識別系統與特定目標之間建立機械或光學接觸，利用射頻信號及其空間耦合、傳輸特性，實現對靜止或移動物品的自動識別。RFID技術廣泛應用于物流、零售、制造、醫療等領域，用于追蹤、監控和管理物品，提高效率和準確性。該技術具有識別距離遠、速度快、準確性高等優點，是現代物聯網技術的重要組成部分。
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射頻識別技術資訊
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- 我國裝備產業計量中心為泰國科技院開展物聯網儀器設備等培訓
- 本次培訓促進了中泰雙方在物聯網測試技術方面的交流合作。“一帶一路”是促進共同發展、實現共同繁榮的合作共贏之路，是增進理解信任、加強全方位交流的和平友誼之路。
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- 凌云光技術 TBS1102B 系列射頻切換開關
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射頻識別技術問答
- 2024-10-18 17:31:52如何排查識別自動進樣器故障？
- 常見的自動進樣器故障類型進樣不準或漏樣 自動進樣器的核心功能是準確采樣并傳輸到分析儀器。如果進樣不準或出現漏樣，可能會導致實驗數據失真。這類故障的常見原因包括進樣針的堵塞、樣品瓶密封不良或進樣器的機械磨損。樣品污染 樣品污染通常會引起數據異常，尤其是當同一設備處理多個樣品時。如何診斷自動進樣器故障針對自動進樣器的故障，首先需要進行全面的診斷。常見的故障排查步驟包括：檢查樣品瓶和密封性：確保樣品瓶和瓶蓋完好無損，避免因密封性不良引起的漏樣。校準進樣針：定期校準進樣針的定位和操作，確保其能夠準確穿刺和采樣。設備日志檢查：查看設備運行日志，分析是否存在錯誤代碼或異常操作記錄。設備清潔和保養：確保定期對自動進樣器的樣品通道和相關部件進行徹底清潔，避免樣品交叉污染。解決自動進樣器故障的方法定期維護和更換易損件 針對自動進樣器的磨損部件，實驗室應建立定期維護計劃，及時更換如進樣針、密封圈等易損件，確保設備處于良好狀態。軟件升級與故障排查 定期檢查自動進樣器的軟件版本，確保設備使用的控制系統。培訓實驗室人員正確操作軟件，減少因設置不當導致的故障。
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- 2022-11-28 13:28:03射頻、微波產品-歡迎咨詢
- 大功率寬帶固態連續波功率放大器（頻率范圍:4kHz-100GHz,功率范圍:1W-50kW）頻率0.35~0.4GHz-功率60dBm-增益±1.5dB頻率0.44~0.52GHz-功率60dBm-增益±1.5dB頻率0.1~0.7GHz-功率53dBm-增益±5dB頻率0.5~1.0GHz-功率57dBm-增益±3dB頻率1.2 ~1.4GHz-功率60dBm-增益±1dB頻率1.4~1.6GHz-功率57dBm-增益±1dB頻率1.8 -2.2GHz-功率60dBm-增益±1.5dB頻率2.7~3.1GHz-功率57dBm-增益±0.5dB頻率3.4~3.8GHz-功率57dBm-增益±1.5dB頻率4.5~4.8GHz-功率53dBm-增益±2dB頻率2.5~6.0GHz-功率55dBm-增益±1dB頻率1.0~6.0GHz-功率53dBm-增益±2dB頻率6.0~18.0GHz-功率53dBm-增益±1dB頻率18.0~26.5GHz-功率50dBm-增益±1dB頻率26.5~40.0GHz-功率46dBm-增益±1dB頻率58.0~62.0GHz-功率37dBm-增益±1dB電磁兼容系統、無源器件互調測試、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、空間探索、高能物理、計量檢測和醫療設備等 大功率寬帶固態脈沖波功率放大器[頻率范圍:4kHz-45GHz,功率范圍:100W-500kw(占空比0.1%-10%可調)]頻率0.728~0.96GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率1.4~1.6 GHz-功率63dBm-增益±1.5dB頻率1.805~2.17 GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率2.3~2. 7GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率3.4~3.8 GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率4.5~4.8 GHz-功率63dBm-增益±1.5dB頻率5.1~5.9 GHz-功率63dBm-增益±1.5dB應用領域:電磁兼容系統、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、空間探索、高能物理等。 大功率寬帶固態脈沖和連續波功率放大器(頻率范圍4kHz-6GHz,功率范圍:連續波10W-1kW,脈沖波100W-10kW)頻率0.728~0.96GHz-功率69dBm-增益±1.5dB頻率1.805~2.17GHz-功率69dBm-增益±1.5dB頻率2.3~2.7GHz-功率69dBm-增益±1.5dB應用領域:無源器件互調測試、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、計量檢測等。 大功率寬帶TWT功率放大器(頻率范圍:1GHz-40GHz,功率范圍:20W-500W)頻率6~18GHz-功率53dBm-增益±1.5dB頻率18~26.5GHz-功率50dBm-增益±1.5dB頻率26.5~40GHz-功率46dBm-增益±1.5dB應用領域:電磁兼容系統、無源器件互調測試、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、空間探索、高能物理計量檢測和醫療設備等。工作頻段及輸出功率可根據用戶要求定制 輸入頻率范:1695±15MHz,輸出頻率: 132.5±15MHz, 增益:63dB±2dB（常溫）\60dB-70dB（-40℃-- +55℃）高頻頭LNB RF輸入頻率: 800-900MHz, RF輸入功率: -10~10dBm,輸出功率: 9.3-9.4 GHz---上變頻器RF輸入頻率: 800-900MHz, RF輸入功率: -10~10dBm,Gain: 20-25 dB----下變頻器 中心頻率: 10.2GHz. 輸出功率: 200W, 輸入功率: 10mW---X波段固態功放模塊 寬帶固態連續波功率放大器模塊(寬帶連續波功率:1W-50W,頻率:10kHz-18GHz)頻率:1.0~2.0GHz -功率47dBm-增益47dB頻率:1.0~3.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:1.0~6.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:2.0~4.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:2.0~6.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:6.0~18.0GHz -功率43dBm-增益43dB 頻率: 824-849MHz, 抑治: ≥60dB, 頻率: 800-1000MHz, 抑治: ≥30dB,頻率: 1710-1755MHz, 抑治: ≥60dB, 頻率: 1920-2170MHz, 抑治: ≥50dB,頻率: 2110-2155MHz, 抑治: ≥60dB, 頻率: 2110-2170MHz, 抑治: ≥40dB, 頻率: 2300 –2400MHz, 抑治: ≥50dB, 帶阻濾波器技 頻率: 925-960MHz, 抑治: >50 dB, 頻率: 1550-1620MHz, 抑治: ≥30 dB,頻率: 1805-1880MHz, 抑治: >50 dB, 頻率: 1893～1915MHz, 抑治: >50 dB,頻率: 2400-2483MHz, 抑治: ≥30 dB,頻率: 31.92-435.92MHz, 抑治: ≥30 dB, 帶通濾波器 腔體濾波器|介質濾波器|介質雙工器|LC濾波器|LC雙工器| 0.3-2GHz-Vivaldi天線-水平、垂直雙線極化- > -10dBi增益- SMA-50K2-8GHz-角錐喇叭天線-單線極化- 8～12dB增益- SMA-50K2-18GHz -角錐喇叭天線-單線極化- 8～12dB增益- SMA-50K6-18GHz -角錐喇叭天線-單線極化- 10～18dB增益- SMA-50K0.8-18GHz -圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化--4～18dB增益- 2.92mm1-18GHz -圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 2～21dB（需要補測1-2GHz）增益- SMA-50K6-18GHz -圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 12～18dB增益- SMA-50K8-23GHz-圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 13~19dB增益- SMA-50K18-40GHz-圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 14～20dB增益- SMA-K34-36GHz-圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 18dB增益- 2.92-50K 聯系方式（18013849410）微信同號
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- 2023-08-04 09:40:56手持光譜儀準確識別鎘元素,守護人體健康
- 我們都知道很多物品中存在重金屬，這些重金屬對人體健康存在很大的威脅。其中鎘元素會對人體呼吸系統、腎臟和骨骼都帶來影響。日常生活中需要使用手持光譜儀辨別出哪些金屬元素中含有鎘元素。 鎘元素作為有毒元素之一，其化合物毒性更加強大。它原本以化合物存在，與人類的生活并不交匯，但隨著時代不斷發展，工業不斷創新鎘元素便被釋放出來，鎘元素不僅能夠危害到人體健康還會對附近自然環境造成一定的影響。手持式光譜儀不僅能對自然環境進行分辨，還能對人體入口的金屬材質的鍋碗瓢盆進行檢測，這樣避免了鎘元素進入到人體中。 使用手持光譜儀進行鎘元素識別時，首先需要收集樣品的光譜數據，然后與已知的鎘元素光譜數據進行比對分析。如果樣品中存在鎘元素，手持光譜儀會給出相應的指示或顯示結果，從而可以及時發現并采取相應的措施來保護人體健康。 手持光譜儀的便攜性使其在現場應用具有很大的優勢，可以用于食品安全檢測、環境監測等領域，為人體健康提供更加有效的保障。但需要注意的是，手持光譜儀的準確性和可靠性也受到儀器的質量和使用方法的影響，因此，在使用手持光譜儀進行鎘元素識別時，應根據實際情況選擇適當的儀器，并按照操作規范進行操作。 手持式光譜儀能夠有效地幫助科研人員分辨出鎘元素，只需要一鍵按動就能夠有效對各種現場進行篩查，分辨出樣品中的元素含量分析，達到環境保護局等單位要求分析的范圍及性能。 贏洲科技作為奧林巴斯一級品牌代理商，擁有完整的售前售后服務體系，如有儀器購買或維修需求，可聯系贏洲科技為您提供原裝零部件替換、維修。
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- 2022-01-11 12:01:50“射頻萬用表”頻譜分析儀的七大性能指標解析
- 頻譜分析儀是一種用于在頻域中顯示信號幅度的儀器。射頻領域被稱為“射頻萬用表”， 頻譜分析儀可用來進行通用頻譜分析、 射頻記錄和回放 、 EMC 一致性測試和故障排除 、頻譜監測、無線電定位和干擾搜尋 等，使用十分廣泛。很多剛入門的工程師在選型時不知道該著重關注哪些指標，下面安泰測試針對頻譜分析儀的七大性能指標進行講解，希望對大家有所幫助：1、輸入頻率范圍它指的是頻譜分析儀可以正常工作的Z大頻率范圍。 該范圍的上限和下限由HZ表示，HZ由掃描本地振蕩器的頻率范圍確定。 現代頻譜分析儀的頻率范圍通常從低頻段到射頻頻段，甚至微波頻段，如1KHz到4GHz。 這里的頻率是指中心頻率，它是顯示頻譜寬度中心的頻率。2、分辨率帶寬光譜中兩個相鄰分量之間的最小行間距定義為HZ。 它表示光譜儀在指定的低點區分兩個幅度相等的信號的能力。 在頻譜分析儀的屏幕上看到的測量信號的頻譜線實際上是窄帶濾波器的動態幅頻特性圖（類似于鐘形曲線）。 因此，分辨率取決于幅頻帶寬的帶寬。 為窄帶濾波器的幅度頻率特性定義的3dB帶寬是頻譜分析儀的分辨率帶寬。3、敏感性頻譜分析儀在給定分辨率帶寬，顯示模式和其他因素下顯示最小信號電平的能力以dBm，dBu，dBv，V等表示。超外差光譜儀的靈敏度取決于儀器的內部噪聲。 測量小信號時，信號線顯示在噪聲頻譜上。 為了從噪聲頻譜中輕松看到信號線，一般信號電平應比內部噪聲電平高10 dB。 此外，靈敏度還與掃描速度有關。 掃描速度越快，動態幅頻特性的峰值越低，靈敏度越低，產生幅度差。4、動態范圍可以以指定的精度測量輸入端同時出現的兩個信號之間的最大差異。 動態范圍的上限受到非線性失真的約束。 有兩種方法可以顯示頻譜分析儀的幅度：線性對數。 對數顯示的優點在于它可以在屏幕的有限有效高度范圍內獲得大的動態范圍。 頻譜分析儀的動態范圍高于60dB，有時甚至超過100dB。5、頻率掃描寬度（Span）有不同的方法來分析頻譜寬度，掃描寬度，頻率范圍，頻譜跨度等。通常是指可以在光譜儀顯示屏的左右垂直校準線中顯示的響應信號的頻率范圍（光譜寬度）。根據測試需要自動調整或人工設置。掃描寬度表示光譜儀在測量過程中顯示的頻率范圍（即頻率掃描）可以小于或等于輸入頻率范圍。頻譜寬度通常分為三種模式。（1）全掃描頻譜分析儀可以一次掃描其有效頻率范圍。（2）每個掃頻光譜儀必須一次只掃描一個指定的頻率范圍。可以改變在每種情況下表示的光譜寬度。零掃描頻率的頻率為零，頻譜分析儀不掃描頻率，并成為調諧接收器。6、掃描時間（掃描時間，簡化為ST）。也就是說，執行全頻率范圍掃描并完成測量所需的時間，也稱為分析時間。 通常掃描時間越短，在未來保證測量精度的情況下，需要將掃描時間控制在適當的范圍內。與掃描時間相關的因素主要有頻率掃描范圍、分辨率寬帶、視頻濾波。現代頻譜分析儀通常具有多級掃描時間，最小掃描時間由測量通道的電路響應時間決定。7、幅度測量精度J對幅度精度和相對幅度精度由許多因素決定。 絕對幅度精度是滿量程信號的指標，它受輸入衰減，IF增益，分辨率帶寬，比例保真度，頻率響應和校準信號本身精度的影響。 相對幅度精度與測量方法有關，在理想條件下，只有兩個誤差源，頻率響應和校準信號精度。 準確度可能非常高。 儀器必須在制造前進行校準。 各種錯誤已單獨記錄并用于校正測量數據。 顯示的幅度精度得到了改善。如果您在選型頻譜分析儀過程中有什么問題，歡迎訪問安泰測試網www.agitek.com.cn。
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- 2022-11-18 16:15:48反應離子刻蝕技術
- 反應離子刻蝕概述：反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應用于物理，生物，化學，材料，電子等領域。 工作原理：通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進行隨機碰撞, 當電子能量大到一定程度時, 隨機碰撞變為非彈性碰撞, 產生二次電子發射, 它們又進一步與氣體分子碰撞, 不斷激發或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復合。當電子的產生和消失過程達到平衡時, 放電能繼續不斷地維持下去。由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態的原子、分子或原子團) 也稱為等離子體, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得反應離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。 刻蝕氣體的選擇對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應過程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團反應， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發性氣體。對于鍺材料、選用含F 的氣體是十分有效的。然而, 當氣體成份中含有氫時, 刻蝕將受到嚴重阻礙, 這是因為氫可以和氟原子結合, 形成穩定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實驗證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應過程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發性氣體) 。 設備：典型的（平行板）RIE系統包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入，并通過底部離開真空泵系統。所用氣體的類型和數量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調節氣體流速和/或調節排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內。存在其他類型的RIE系統，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統中，利用RF供電的磁場產生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實現非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產生定向電場以實現更多的各向異性蝕刻輪廓。 操作方法：通過向晶片盤片施加強RF（射頻）電磁場，在系統中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產生等離子體 。在場的每個循環中，電子在室中上下電加速，有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時，響應于RF電場，更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統的電子狀態。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發生化學反應，但也可以通過轉移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞，反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻，用于挖掘深部特征。
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滬公網安備 31011502008050號