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半導(dǎo)體參數(shù)CV測試儀
- 品牌:普賽斯儀表
- 型號: 武漢普賽斯
- 產(chǎn)地:湖北 武漢
- 供應(yīng)商報價:¥1000
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武漢普賽斯儀表有限公司
更新時間:2025-04-29 08:46:00
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銷售范圍售全國
入駐年限第6年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品CV測試系統(tǒng)(5件)
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產(chǎn)品特點
- 普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置,通過矩陣開關(guān)加載在待測件上。半導(dǎo)體參數(shù)CV測試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表
詳細(xì)介紹
半導(dǎo)體參數(shù)CV測試儀概述
電容-電壓(C-V)測量廣泛用于半導(dǎo)體參數(shù)測試方面,尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù),MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性),C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。
系統(tǒng)方案
普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置,通過矩陣開關(guān)加載在待測件上。
進(jìn)行 C-V 測量時,通常在電容兩端施加直流偏壓,同時利用一個交流信號進(jìn)行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描,掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流,從而計算出不同電壓下的電容值。
系統(tǒng)優(yōu)勢
- 頻率范圍寬:
頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點可調(diào);
高精度、大動態(tài)范圍:提供0V~3500V偏壓范圍,精度0.1%;
內(nèi)置CV測試:內(nèi)置自動化CV測試軟件,包含C-V(電容-電壓),C-T(電容-時間),C-F(電容-頻率)等多項測試測試功能;
兼容IV測試:同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試;
實時曲線繪制:軟件界面直觀展示項目測試數(shù)據(jù)及曲線,便于監(jiān)控;
擴(kuò)展性強:系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計,可根據(jù)需求靈活搭配;
基本參數(shù)
LCR
測試頻率
10Hz-1MHz
頻率輸出精確度
±0.01%
基本準(zhǔn)確度
±0.05%
AC測試信號準(zhǔn)位
10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度)
DC測試信號準(zhǔn)位
10mV至2V (1m Vrms 解析度)
輸出阻抗
100Ω
量測范圍
|Z|, R, X
0.001mΩ–99.999MΩ
|Y|, G, B
0.1nS–99.999S
Cs、Cp
0.01pF – 9.9999F
Ls Lp
0.1nH–9.999kH
D
0.00001-9.9999
Q
0.1-9999.9
DCR
0.001mΩ–9.999MΩ
Δ%
-9999%-999%
θ
-180° -+180°
SMU
VGS范圍
0 - ±30V(選配)
IGSS/IGES
≥10pA(選配)
VDS范圍
0 - ±300V
0 - ±1200V
0 - ±2200V
0 - ±3500V
IDSS/ICES
≥10pA
≥1nA
源測精度
0.03%
0.1%
功能
測試方式
點測、圖形掃描
測試參數(shù)
DIODE:CJ、IR、VR
MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS
IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES
接口
RS232、LAN
編程協(xié)議
SCPI、LabView
軟件界面及功能
CV測試界面
CV曲線圖
半導(dǎo)體參數(shù)CV測試儀典型配置
源表
VGS/VGE
選配,S100/P100
VDS/VCE
標(biāo)配S300,可選P300/E100/E200/E300
LCR表
標(biāo)配10Hz~1MHz頻率,可選5MHz/10MHz
矩陣開關(guān)
上位機軟件
其他
三同軸電纜、LAN線
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