技術(shù)參數(shù)配置:

1.靶: 數(shù)量6個(gè)，大小1-2英寸，被激光照射時(shí)可自動(dòng)旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過步進(jìn)電機(jī)控制;

2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達(dá)1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境最大壓力是300mtorr;

3.基板加熱電源，最高到1200度;

4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-7 Torr;

5.樣品傳輸室:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;

6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;

7.閥門: 采用超高真空擋板閥;

8.真空檢測(cè):真空計(jì);

9.氣路兩套: 采用氣體流量計(jì)控制;

10.薄膜生長(zhǎng)監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分RHEED;

11.監(jiān)控軟件系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定，基板和靶的旋轉(zhuǎn)，靶的更換等;

12.各種電流導(dǎo)入及測(cè)溫端子;

13.其它各種構(gòu)造:各種超高真空位移臺(tái)，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等;