在電子通信行業蓬勃發展的大背景下，集成電路產業迎來了以光刻技術為核心技術的爆炸式需求。利用紫外光源對紫外敏感的光刻膠進行空間選擇性的曝光，進而將設計好電路版圖轉移到硅片上形成集成電路，這一工藝就是紫外光刻技術。實現光刻工藝的設備一般稱之為光刻機，或為曝光機。光刻機的分辨率和套刻精度直接決定了所制造的集成電路的集成度，也成為了評價光刻設備品質的關鍵指標。

光刻機作為生產大規模集成電路的核心設備，有接觸式光刻機、接近式光刻機、投影式光刻機等類型。而這些類型的常規光刻機需要定制價格高昂的光學掩模版，同時，任何設計上的變動都需要掩模版重新制造也使得它有著靈活性差的劣勢。激光直寫設備具備很高的靈活性，且可以達到較高的精度，但逐行掃描的模式使得曝光效率較低。出于同時追求高精度、高效率、強靈活性、低損耗，在投影式光刻機基礎上，無掩模版紫外光刻機應運而生。近些年，基于空間光調制器（DMD/DLP）的技術在紫外曝光方面獲得了長足的進展。

TTT-07-UV Litho-ACA Pro無掩模版紫外光刻機的特征尺寸為0.6 μm（光刻鏡頭C），高性能無鐵芯直線驅動電機保證了套刻精度和高達6英寸畫幅的圖形拼接，而基于空間光調制器的光刻技術，使得其在光學掩模版設計上有著得天獨厚的優勢。高效、靈活、高分辨率和高套刻精度等眾多優點，必將使其成為二維材料、電輸運測試，光電測試、太赫茲器件和毫米波器件等領域的科研利器。

【產品亮點】

步進式光刻

更高的精度

激光主動對焦

6 英寸加工幅面

特征尺寸0.4 μm

【應用示例】

微流道芯片

微納結構曝光

電輸運測試/光電測試器件
二維材料的電極搭建

太赫茲/毫米波器件制備

光學掩模版的制作

【系統升級選項】

激光光源

主動隔振平臺

3D重構觀測

手套箱內集成

【安裝需求】

溫度：20-40℃

濕度：RH<60%
電源：220V，50Hz