通過MEMS芯片在原位樣品臺內對樣品構建精細熱場自動調通過MEMS芯片在原位樣品臺內對樣品構建精細熱場自動調控及反饋測量系統，并結合TEM/SEM研究材料在不同熱場條件下發生結構相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關鍵信息。

測試面臨的挑戰：

傳統的二線制電阻測量方式容易引入附加誤差，降低MEMS芯片控溫的晶準度。材料測試所能承受的電流超小，低至nA甚至pA，測試設備需要具備小電流的測量能力。

普賽斯S/P系列源表為原位表征提供晶準熱場控制及電性能測量:
標配四線制測量端口;
提供多個電流量程，量程越低，精度越高;
蕞低1pA電流分辨率，源測精度高達0.03%。基于數字源表的納米材料高溫原位表征及測試方案認準普賽斯儀表咨詢，

普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！