MXGH1200-PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統

產品簡介：此款設備配有Plasma實現等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力，帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

主要功能和特點：

1、利用輝光放電產生等離子體電子激活氣相；

2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質量；

3、可通過調整射頻電源頻率來控制沉積速率；

4、能廣泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。

滑軌管式爐技術參數

石英管尺寸L1400mm  Φ（60、80、100）

加熱元件摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲

測溫元件K型熱電偶

加熱區長度400mm  

恒溫區長度200mm

工作溫度≤1100℃

控溫模式模糊PID控制和自整定調節，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能

控溫精度±1℃

升溫速率≤20℃/min

電功率AC220V/50HZ/3KW

質量供氣系統技術參數

外形尺寸600x600x600mm

標準量程50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； 

壓力表測量范圍-0.1Mpa～0.15Mpa

極限壓力3MPa

針閥316不銹鋼

截止閥Φ6mm 316不銹鋼針閥

電功率AC220V/50HZ/20W

響應時間氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec

準確度±1.5%

線性±0.5～1.5%

重復精度±0.2%

接口Φ6,1/4'

真空系統技術參數