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薄膜熱電參數測試系統(MRS)

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產品特點

薄膜熱電參數測試系統是專門針對薄膜材料的Seebeck系數和電阻率測量,測溫范圍達到81K~700K,采用動態法測量Seebeck系數,避免了靜態測量在溫差測量上的系統誤差,測量更準確。

詳細介紹

薄膜熱電參數測試系統產品特點

專門針對薄膜材料的Seebeck系數和電阻率測量。

測試環境溫度范圍達到81K~700K。

采用動態法測量Seebeck系數,避免了靜態測量在溫差測量上的系統誤差,測量更準確。

采用四線法測量電阻率。

熱電偶探針經過嚴格的篩選配對保證測試結果的準確和穩定。

軟件操作簡單,智能化可實現全自動模式。


薄膜熱電參數測試系統技術參數

型號

MRS-3

MRS-3RT

環境溫度

81K~700K

RT

溫控方式

PID程序控制

\

真空度

≤ 1Pa

\

測試氣氛

真空

 空氣

測量范圍

貝克系數:S ≥ 8μV/K; 電阻率:0.1μΩ?m ~ 1000KμΩ?m

分辨率

貝克系數:0.05μV/K; 電阻率:0.05μΩ?m

相對誤差

貝克系數 ≤ 7%,電阻率 ≤ 5%

測量模式

自動

樣品尺寸

長 x 寬:(10~18)x(4~14)mm2,薄膜厚度≥50nm

主機尺寸

采集箱:470x400x140,單位mm
變溫裝置:直徑x高 460x800mm

170x250x220,單位mm

重量

31.9kg

3.5kg


薄膜熱電參數測試系統樣品要求

樣品滿足上述樣品尺寸,待測面需平整,薄膜均勻性好,保證與銅片接觸良好

薄膜材料厚度zuidi可至100nm,其均勻性有較高要求,薄膜厚度達到微米級別較好

薄膜材料的襯底需選擇電阻率較大或絕緣材料為宜,如玻璃、Si等材料


薄膜熱電參數測試系統技術原理

  動態法:測量Seebeck系數

  在待測溫場下給樣品兩端加一個連續變化的微小溫差,通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化,然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線,直線斜率即為該材料在該溫場下的Seebeck系數。

  采用四線法測量電阻率。


薄膜熱電參數測試系統測試實例

標準鎳帶測試結果

東華大學MoS2測試結果


MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結果(ZG科學院電工研究所提供樣品)

MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結果(ZG科學院電工研究所提供樣品)


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