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CL-STEM陰極熒光分析系統(tǒng)
- 品牌:attolight
- 產(chǎn)地:歐洲 瑞士
- 供應(yīng)商報價:面議
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QUANTUM量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司
更新時間:2025-04-21 10:15:39
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銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品表面成像(40件)
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詳細介紹
M?nch 4107是一個用于STEM,可以實現(xiàn)前所未有的信噪比和高的光譜分辨率陰極發(fā)光檢測器。它可以幫助研究人員實現(xiàn)對單個納米粒子,量子點或原子缺陷測量進行超高分辨率的圖像和高光譜圖譜的檢測。
當(dāng)您使用STEM進行陰極熒光光譜的探測,能夠短的時間內(nèi)達到所需的信噪比是至關(guān)重要的,這樣您才可以在短時間內(nèi)測試更多的樣品。Attolight 采用創(chuàng)新技術(shù),在與樣品毫米級的間距范圍內(nèi),實現(xiàn)了大面積區(qū)域?qū)捔Ⅲw角高效率收集光子,而且僅僅只需利用STEM上的一個擴展孔。
Attolight M?nch 4107 強大而高效。首先,反射鏡經(jīng)過精心設(shè)計,獲得前所未有的曲率半徑和小型化水平;它可以適應(yīng)在市場上大多數(shù)校正的STEM設(shè)備,同時保持足夠的剛度和3個自由度,允許完成亞毫米級的調(diào)整。其次,M?nch 4107 直接收集樣品的陰極發(fā)光并耦合到光纖內(nèi),保證信號到達光譜儀的強度。zui后,一個超快EMCCD相機測量信號并實現(xiàn)高的光譜分辨率,高光譜掃描能在幾秒鐘內(nèi)完成。數(shù)據(jù)可以直接通過其他技術(shù)(EELS, EDS)的軟件采集且并行顯示。
M?nch 4107并非插件。這是一個從事電子顯微鏡和光學(xué)和光譜學(xué)多年的專業(yè)知識公司提供的解決方案。Attolight將用于陰極熒光SEM分析系統(tǒng)研發(fā)中的設(shè)計、制造技術(shù)推廣到STEM設(shè)備。
M?nch 4107 包含3自由度快速校準熒光收集反射鏡,光纖耦合高分辨率光譜儀,用于快速高光譜采集的scientific級高速相機,以及具有掃描模塊STEM桿。
產(chǎn)品參數(shù):
測試模式:
陰極熒光高光譜mapping.
光學(xué)部分
● ZG反光鏡● 光纖耦合器● 光譜收集范圍 200-1700 nm● 信號經(jīng)過光纖解耦合器實現(xiàn)無需校準● 各光學(xué)部件數(shù)值孔徑相互匹配,光強損失減到小● 收集的陰極熒光信號可以耦合到用戶自己的光學(xué)設(shè)備里 (例如干涉儀、光源注入器等)● 用戶可根據(jù)需求快速更換傳導(dǎo)光纖探測器部分:● 采用3光柵塔臺雙出口的色散分光計(光柵在下訂單時由客戶選擇)● 可選取高速EMCCD 相機用于探測UV-Vis波段;或者高速 CCD 相機用于探測UV-NIR波段InGaAs線陣列探測器用于NIR (可選項)微定位系統(tǒng):
● 3自由度收集鏡實現(xiàn)樣品任意位置的信號收集行程: ±150 (Z), 3 mm (X), 100 mm (Y)● 小步長:500 nm● 可重復(fù)性(整個行程內(nèi)): 500 nm● 觸碰提示避免損傷極靴系統(tǒng)控制:
● 4通道掃描卡:一個用于額外的單通道探測器,2個用于控制STEMXY軸掃描,一個用于控制STEM電子束● 無與倫比的檢測速度:900Hz (128
*128 mapping 僅需18s)● 控制軟件兼容Win7● 可以使用Gatan Digital Micrograph軟件進行數(shù)據(jù)采集和圖形化安裝要求:● 極靴和樣品臺之間有2mm以上的空間
(上下兩個極靴之間大于4mm)
● 樣品與載物架之間間隙小于300 μm主要特點:● 從激發(fā)發(fā)光到探測,光的傳輸損失小● 恒定光譜分辨率,無需損失強度。● 3軸亞微米級電動反光鏡—采集樣品任意位置發(fā)光● 精密設(shè)計,配置于極靴/樣品間 2 mm間隙。● 配置超快相機及高精度掃描收集鏡,可在數(shù)毫秒瞬間實現(xiàn)紫外可見近紅外高光譜成像● 與STEM其他技術(shù)完全兼容 (HAADF, BF, diffraction, EELS (插入式探測器),EDS, Tomography (可伸縮探測器)● 與Gatan Digital Micrograph軟件兼容應(yīng)用領(lǐng)域:● 先進材料性質(zhì)研究,如:氮化物半導(dǎo)體 (GaN, InGaN, AlGaN, …);
III-V族半導(dǎo)體(GaP,InP,GaAs,…);
II-VI族半導(dǎo)體(CdTe,ZnO,…)
● 寬禁帶材料(diamond, AlN, BN)● 檢測復(fù)合材料的成分的不均一性(例如:InGaN材料中In富集)
● 材料微納結(jié)構(gòu)或異質(zhì)結(jié)構(gòu)形貌相關(guān)聯(lián)的光學(xué)特性● 缺陷表征(空位, 線位錯,堆垛層錯, …)● 表面等離子體激元學(xué)