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銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11620-256DF
- 品牌:日本濱松
- 型號(hào): G11620-256DF
- 產(chǎn)地:亞洲 日本
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià):面議
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濱松光子學(xué)商貿(mào)(中國(guó))有限公司
更新時(shí)間:2025-02-24 10:56:46
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銷售范圍售全國(guó)
入駐年限第10年
營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品InGaAs圖像傳感器(42件)
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產(chǎn)品特點(diǎn)
線陣(256像素)近紅外(0.95 to 1.7 μm)圖像傳感器
G11620系列是為近紅外多通道光譜儀而設(shè)計(jì)的銦鎵砷線陣圖像傳感器。CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時(shí)序產(chǎn)生器。與包括兩片CMOS信號(hào)處理芯片的傳統(tǒng)銦鎵砷線性圖像傳感器不同,G11620系列通過將CMOS芯片與銦鎵砷二極管陣列凹凸連接只使用一個(gè)CMOS芯片。這種結(jié)構(gòu)降低了奇數(shù)像素和偶數(shù)像素間通常存在的視頻輸出差異。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個(gè)像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個(gè)像素的信號(hào)在電荷積分模式下讀出,因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號(hào)處理電路可以通過對(duì)外電壓來選擇兩種等級(jí)的轉(zhuǎn)換效率,以滿足不同的應(yīng)用需要。產(chǎn)品特性● 低噪聲,低暗電流● 兩種轉(zhuǎn)換率可選● 抗飽和電路● CDS電路● 內(nèi)置溫度傳感器● 操作簡(jiǎn)單(通過內(nèi)置時(shí)序產(chǎn)生器)● 高分辨率:25μm 間距
詳細(xì)介紹
- 詳細(xì)參數(shù)
圖像尺寸 6.4 x 0.5 mm 像素尺寸 25 x 500 μm 像素間距 25 μm 總像素個(gè)數(shù) 256 pixels 封裝 Ceramic 幀頻 (最大值) 17200 lines/s 制冷方式 Non-cooled 光譜響應(yīng)范圍 950 to 1700 nm 暗電流(最大值) 5 pA 測(cè)試條件 unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP,Vinp=PDN=4 V,Fvref=1.2V,Vφ=5V,f=1 MHz
光譜響應(yīng)外形尺寸(單位:mm)相關(guān)下載Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]
InGaAs photodiode / Selection guide [3.35 MB/PDF]
Opto-semiconductors / Safety consideration [34 KB/PDF]
Image sensors / Selection guide [2.64 MB/PDF]
Image sensors / Precautions [621 KB/PDF]
技術(shù)資料