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銦鎵砷面陣圖像傳感器 G11097-0606S

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產品特點


適用于二維紅外成像的64 × 64像素圖像傳感器 ?
G11097-0606S具有由一個CMOS讀出電路(ROIC,讀出集成電路)和背照式銦鎵砷光電二極管組成的混合型結構。每個像素都是由一個銦鎵砷光電二極管和一個ROIC通過銦突起電氣連接組成的。ROIC內部的時序產生器使得僅僅通過外部數字輸入主時鐘和主開始信號,就可以獲得模擬圖像輸出和AD-TRIG輸出。該器件有64×64個像素,間距為50um,信號從一個視頻線中讀出。入射到銦鎵砷光電二極管上的光被轉換為電信號,再通過銦突起輸入ROIC。 ROIC中的電信號通過電荷放大器被轉換為電壓信號,然后通過移位寄存器從視頻線中順序讀出。該器件為TO-8密封封裝,內含一級TE制冷,成本低,穩定性高。


產品特性
● 通過偏置補償,獲得出色線性度
● 靈敏度:1600 nV/e-
● 全像素同步積分(全局快門模式)
● 操作簡單(內置時序產生器)
● 一級TE制冷
● 低成本


詳細介紹

詳細參數
圖像尺寸 3.2×3.2 mm
像素尺寸 50 x 50 μm
像素間距 50 μm
總像素個數 4096
封裝 Metal
幀頻 (最大值) 1025 frames/s
制冷方式 One-stage TE-cooled
光譜響應范圍 950 to 1670 nm
暗電流(典型) 2 pA
測試條件 Typ. Td=-10 ℃, unless otherwise noted

詳細參數
圖像尺寸3.2 × 3.2?mm
像素尺寸50 × 50?μm
像素間距50?μm
像素個數4096 pixels
封裝Metal
冷卻方式One-stage TE-cooled
幀率(最大值)1025 frames/s
光譜響應范圍950 to 1670 nm
測量條件Typ. Td=-10 ℃, unless otherwise noted


光譜響應

外形尺寸(單位:mm)

相關下載

Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]

InGaAs photodiode / Selection guide [3.35 MB/PDF]

Opto-semiconductors / Safety consideration [34 KB/PDF]

Image sensors / Selection guide [2.64 MB/PDF]

Image sensors / Precautions [621 KB/PDF]

技術資料

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