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硅光電二極管陣列 S11212-021

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詳細介紹

詳細參數
元素大小(每1列) 1.175 × 2.0 mm
像元個數 16
封裝 Glass epoxy
封裝類型 Unsealed
閃爍體類型 None
冷卻方式 Non-cooled
光譜響應范圍 340 to 1100 nm
峰值靈敏度波長(典型值) 920 nm
光敏度 (典型值) 0.61 A/W
暗電流 (最大值) 30 pA
上升時間 (典型值.) 6.5 μs
結電容(典型值) 40 pF
注意 This photodiode array as it is does not function as an X-ray detector. An appropriate scintillator or phosphor sheet 首ld be added at user’s side.
測量條件 Ta=25 ℃, per element, Photosensitivity: λ=λp

注意

本產品芯片未密封,外露。芯片上的電極等部件沒有外殼或窗戶保護,因此與普通產品相比,在搬運過程中需要特別嚴格的保護。

使用本產品前,請務必閱讀以下“未密封產品/注意事項”。

?

?Unsealed products / Precautions [PDF]

外形尺寸(單位:mm)

相關下載

Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]

Unsealed products / Precautions [340 KB/PDF]

技術資料

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