GOS熒光粉由GOS閃爍體或GOS陶瓷加工而成，這款GOS熒光粉是歐洲進口的優質Gd2O2S:Tb熒光粉和硫氧化釓熒光粉,是廣泛用于X射線照相技術的發光磷光體材料，具有較高的原子量，發射峰值與光電二極管匹配。

P43 GOS熒光粉 Gd2O2S:Tb 是常用于X射線照相技術的發光磷光體材料，具有較高的原子量，發射峰值與光電二極管匹配。

Peak emission: 544nm

Emission decay time: 1 ms

Zeff: 61.1

Density: 7.34g/cm3

我們還提供如下熒光粉

優質進口YAG:Ce熒光粉和Ce:YAG熒光粉，這些YAG:Ce熒光粉由高質量Ce:YAG閃爍體單晶直接加工而成。Ce:YAG熒光粉晶體顆粒均勻，在LED和液體閃爍技術中廣泛使用。比如，這種YAG:Ce熒光粉可用于液相色譜法對14C和3H的檢測。

YAG:Ce熒光粉顆粒規格：

0 30 um

30 50 um

50 70 um

70 90 um

90 125 um

其他粒徑的規格可根據要求加工。YAG:Ce熒光粉顆粒表面可按用戶要求蝕刻，也可覆蓋鈍化層，防止背景增加。

其它熒光粉

P43 GOS，P43 Gd2O2S:Tb 是常用于X射線照相技術的發光磷光體材料，具有較高的原子量，發射峰值與光電二極管匹配。

Peak emission: 544nm

Emission decay time: 1 ms

Zeff: 61.1

Density: 7.34g/cm3

P47 , P47 Y2SiO5:Ce是一種常用于電鏡上的熒光體材料。

Peak emission: 400nm

Emission decay time: 100 ns

Zeff: 33

Density: 4.5g/cm3

P46 YAG，全稱YAG Y3Al5O12:Ce，是一種常用于探測X射線或紫外線已經電子輻射的熒光體材料, 也常用于InGaN發光二極管。

Peak emission: 550nm

Emission decay time: 60 ns

Zeff: 32.0

Density: 4.55g/cm3