這套高速電光Q開關系統采用最為先進的高壓MOSFET技術和高速Q開關。高速電光Q開關系統專業為調Q、腔倒空、脈沖選取、脈沖拾取、種子注入和斬波等應用而設計。通過選擇不同的普克爾盒，高速電光Q開關系統工作光譜范圍可達250nm-1300nm.

該Q開關長期以來在全球的激光市場銷量遙遠領xian，在ZG的中科院上海光機所，復旦大學，南開大學，哈爾濱工業大學，山東大學等單位大量廣泛使用。

自包含高壓Q開關驅動電源
配備普克盒安裝架
高可靠性,超小尺寸
<=3ns的光學上升時間
光學或電學觸發
重復頻率高達1000pps
EMI/RFI屏蔽外殼

這套高速電光Q開關系統的獨具特色在于它具有一個帶有自備高壓Q開關驅動電源的高壓脈沖模塊，僅僅需要24V直流電就可以工作，并提供交流到24V直流電的轉換器方便大家使用。高速電光Q開關系統具有內置微型電位器，使用該電位器可以方便地把電壓調到說需要的數值。而高速電光Q開關系統配備的高壓脈沖模塊僅僅需要普通的TTL信號就能觸發，標準的高壓脈沖模塊可以給出1000Hz的高壓脈沖。高速電光Q開關系統和Q開關驅動電源所有硬件都采用了EMI/RFI屏蔽外殼安裝，以保護使用者的人身安全。
這套系統的另外一個特色是：脈沖從0到HV高壓工作水平時,沒有靜態直流高壓，這種特色避免了KD*P晶體在直流電壓工作下的累積離子遷移所造成的損害。
這套高速電光Q開關系統免去了煩瑣的光路準直，它直接固定于精密的光學機械上，直接安裝使用即可。
其中，高速Q開關系統可以根據用戶的需要而選配，如果用于已經有了普克爾盒，就直接訂購高壓模塊即可使用。
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