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德國布魯克 平插式能譜儀QUANTAX FlatQUAD
- 品牌:布魯克AXS
- 型號: QUANTAX FlatQUAD
- 產地:歐洲 德國
- 供應商報價:面議
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布魯克(北京)科技有限公司
更新時間:2025-02-11 15:28:52
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銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業執照已審核
- 同類產品X射線能譜儀(EDS)(3件)
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詳細介紹
產品特點
無與倫比的高通量
分析敏感樣品詳細介紹
產品亮點:
1nm空間分辨率SEM 中的納米級分辨率
>1.1sr最 高固體角固體角代表探測器采集樣品產生的 X 射線的幾何收集效率
2,400kcps高通量比傳統的 EDS 探測器快 4 倍QUANTAX FlatQUAD - 突破傳統 SDD 的極限
QUANTAX FlatQUAD 是基于革命性 XFlash? FlatQUAD 的 EDS 分析系統。這種環形四通道硅漂移探測器實驗時位于SEM極靴和樣品之間,在EDS測試中實現最 大固體角。QUANTAX FlatQUAD 與 ESPRIT 分析軟件套件相結合,即使是對于最 困難的EDS樣品,可以提供無與倫比的面分析性能。
最 大限度地提高您的效率
Bruker XFlash? FlatQUAD 探測器獨特的環形設計以及它在 SEM 極片和樣品之間的位置,可帶來無與倫比的固體角,直接對應為更快的測量速度。QUANTAX FlatQUAD 與 ESPRIT 軟件套件一起,提供理想的儀器軟硬件,用于分析最 低電流才穩定的敏感樣品或極為粗糙的樣品。
XFlash? FlatQUAD還可以將您的 SEM 或 FIB 轉換為低電壓的 STEM,以更及時、更經濟高效的方式實現最 高的空間和光譜分辨率。
如果要從電子透明樣品中獲得更多信息,比如晶體學信息,可以請將 XFlash? FlatQUAD與布魯克 EBSD 改裝的 TKD 探測器結合使用。
您的分析挑戰是什么?
由于荷電效應和電子束帶來的損傷,基于 SEM 的非破壞性 EDS 分析非導電(自然)生命科學樣品極其困難。此外,形貌圖和由此產生的陰影效果會影響結果的質量。布魯克 XFlash? FlatQUAD 專為克服這些限制而設計,如希臘雅典愛琴海附近的海膽樣品(帕拉森特·利維杜斯)如當前示例所示。
圖 1-3 顯示了基于 SEM 的 EDS 面分析圖,其中顯示了海膽的各種細節。圖1中,在右側以綠松石顯示脊柱管狀,而左側的綠色和綠松石鐵鏟狀結構對應為微小的脊柱。在顯微圖的中心,單個沙粒是可辨別的紅色。該圖是在 6 kV 加速電壓和低電流,使用環形 SDD(XFlash ? FlatQUAD ) 在高真空條件下采集的,無需任何樣品制備(無碳涂層或拋光)。
這種獨特的環形 EDS 探測器被放置在樣品上方,就像 BSE 探測器一樣。XFlash? FlatQUAD 具有極高的靈敏度,可在 X 射線產量情況下,最 大限度地減少樣品的陰影效應,因此是面分析粗糙表面、束流敏感樣品的完 美工具。而這樣的樣品通常就像某些生命科學樣品一樣。
二硫化鉬(MoS2)是一種工業上重要的材料,因為它是鉬的主要礦石。它具有廣泛的應用,例如汽車和機械加工的固體潤滑劑,化學工業的催化劑,半導體工業的間接帶隙材料。
EDS 光譜中具有強重疊峰的材料的解卷積和定量一直是分析方面的難點。MoS2中硫的 K 線與鉬的 L 線具有強烈峰重疊。我們使用XFlash? FlatQUAD,布魯克一種特殊的高性能EDS探測器獲得MoS2的EDS點分析能譜(圖1所示)。使用布魯克的ESPRIT2分析軟件對光譜進行解卷積和定量。ESPRIT強大的解卷積和擬合方法能夠正確識別和擬合各個峰值的重疊情況(圖 2,圖 3)。能譜的無標樣定量使Mo和S的原子濃度非常接近測量濃度。工程鋼中鈮元素分布圖
鈮(Nb)作為微合金工程中的添加劑被廣泛研究。眾所周知,在鋼中添加鈮可顯著提高其硬度和耐腐蝕性,這使得含鈮合金材料在航空航天、汽車和結構工程中被廣泛使用。
在這里,我們介紹用布魯克的XFlash? FlatQUAD探測器(圖1)在10 kV加速電壓條件下,以187.4 kcps的高計數率獲得的鈮微合金的EDS面分析。盡管加速電壓和電流(912 pA)較低,依然可實現約350nm的有效空間分辨率(圖4),這一點對于用EDS解決鈮的精細結構至關重要。本應用示例使用布魯克的 XFlash? FlatQUAD 探測器,將速度和分辨率與 EDS技術相結合。
Cu(In, Ga)Se2是一種低成本、高效率的太陽能電池材料,目前已經市場化。了解CIGS太陽能電池中多層材料在不同過程條件下的化學成分,對于進一步提高太陽能廣電轉換效率至關重要。此處顯示的是使用 XFlash? FlatQUAD EDS 探測器獲得的 CIGS 太陽能電池的 FIB/TEM 的EDS 面分析圖。
Si/C 核/殼結構納米顆粒的超高分辨率元素面分析
對于束流敏感樣品(如 Si 納米顆粒)的 EDS 分析,通常需要非常低的電流和/或非常短的測量時間。然而當需要高空間分辨率時,有必要使用低電壓來降低電子與樣品相互作用體積。對于傳統的 EDS 測試而言,這種分析條件極具挑戰性,因為低電壓的 X 射線產率非常低,這就對應很長的測量時間。而長時間的測量,很可能因為束流引起的樣品漂移而影響空間分辨率。
使用XFlash 和 FlatQUAD? EDS 測量則克服了這些限制。XFlash? FlatQUAD具有獨特的探測幾何構型,可對低 X 射線產量的材料實現高靈敏度檢測,在低電流下提供高計數率。因此,XFlash? FlatQUAD EDS 是面分析束流敏感材料(即使具有粗糙表面)的的理想之選。
本示例提供硅納米顆粒的高分辨率圖(像素間距僅為 2 nm!測試參數為 5 kV、520 pA 和 377 s 采集時間,使用 XFlash FlatQUAD 進行表征)。結果表明,這些納米顆粒的結構為硅核(綠色)和碳殼(紅色)。
Data courtesy:S.Rades et al., Royal Society of Chemistry Advances, 2014, 4, 49577
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