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2025-01-10 17:04:05納米加工方法: 納米加工方法是一種在納米尺度上對材料進行精確操控和加工的技術。它包括光刻、蝕刻、離子注入、納米壓印等多種手段。這些方法能夠實現對材料結構的精細調控，廣泛應用于半導體制造、生物醫學、材料科學等領域。通過納米加工，可以制備出具有特殊性能的材料和器件，如納米傳感器、納米電子元件等，極大地推動了科學技術的發展。納米加工方法不僅要求高精度，還需保證加工效率和材料性能的穩定。

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納米加工方法資訊

國家標準化委員會正式發布：物理研究所主導制定的一項納米加工方法國家標準

納米加工技術的適用領域：武器慣導儀表的精密陀螺、激光核聚變反射鏡、大型天體望遠鏡反射鏡和多面棱鏡、大規模集成電路硅片、計算機磁盤及復印機磁鼓等。

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2023-02-26
納米加工方法國家標準

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: 魔技納米超快激光微納加工中心; 國內山東; 面議; 魔技納米科技有限公司
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: Microfluidics LM20 納米脂質體專業加工設備; 國外美洲; ￥1500000; 上海巴崴奧商貿有限公司
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: Nicomp 380 N3000 納米激光粒度儀; 國外美洲; ￥500000; 上海奧法美嘉生物科技有限公司
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: 多功能臺式微米和納米加工制造儀; 國外美洲; 面議; 北京佰司特科技有限責任公司
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納米加工方法問答

2022-04-24 16:42:23納米多孔氧化鋁: 本品為化學法合成的白色球形粉末，無重金屬、無放射性元素。物理指標①晶相 γ相②AI2O3含量 ≥99.9③ 介孔 0.38④ 原晶粒度 50-60納米化學指標①本品用于噴墨打印紙的涂層，為紙張提高光澤。②増加涂料的耐磨性，具有助流、提高上粉率、防結塊等特點應用范圍①導熱硅膠②電子灌封膠③粉末涂料公眾號搜索粉體圈，聯系報價。聯系方式：400-869-9320轉8990更多信息進入店鋪查看：https://www.360powder.com/shop.html?shop_id=1727

2023-06-15 14:06:01金屬刻印加工的教科書: 用激光在進行刻印和加工的時候，根據金屬的材質不同，選擇的激光類型也并不相同。本資料從“金屬刻印加工示例”、“金屬刻印的原理”、“激光各個波長的特點”、“不同材質吸收率的差異” 這四個方面詳細地說明了在金屬上的激光發色、加工原理。不論您是已經在使用激光還是正打算使用激光，這都是一本干貨滿滿的教科書式的資料。金屬產品的刻印和加工激光刻印具有不易消失、無法竟改以及運行成本低等優點，因此，對零部件進行直接刻印的方法被廣泛采用。以汽車制造過程為例，激光刻印機被用于各種用途。金屬刻印及加工的原理物體在接受到光時都會發生“反射”、“吸收”和“透過”的現象。這種現象也成為激光刻印、激光加工中十分重要的要素。激光各個波長的特點物體在接受到光時都會發生“反射”、“吸收”和“透過”的現象。這種現象也成為激光刻印、激光加工中十分重要的要素。工業用激光刻印機大致分為CO2激光刻印機、YV04激光刻印機、光纖激光刻印機、綠色SHG〉激光刻印機和UV激光刻印機5種，其區別在于激光的波長。激光波長越短能量就越高，對物質的吸收率也會提升，但根據激光波長的不同，適用于刻印、加工的材質也會不同。詳細解說了各個波長的特點*光纖激光刻印機為1090nm用激光在進行刻印和加工的時候，根據金屬的材質不同，選擇的激光類型也并不相同。本資料從“金屬刻印加工示例”、“金屬刻印的原理”、“激光各個波長的特點”、“不同材質吸收率的差異” 這四個方面詳細地說明了在金屬上的激光發色、加工原理。不論您是已經在使用激光還是正打算使用激光，這都是一本干貨滿滿的教科書式的資料。金屬產品的刻印和加工激光刻印具有不易消失、無法竟改以及運行成本低等優點，因此，對零部件進行直接刻印的方法被廣泛采用。以汽車制造過程為例，激光刻印機被用于各種用途。金屬刻印及加工的原理物體在接受到光時都會發生“反射”、“吸收”和“透過”的現象。這種現象也成為激光刻印、激光加工中十分重要的要素。不同材質吸快率的差異上圖顯示的是不同金屬材質對基本波長激光（1064nm）、綠色激光（532nm）和UV激光（355nm）的吸收率。銀（Ag）和銅（Cu）等反射率較高的材質，受波長變化影響大。銀（Ag）在UV波長355nm下的吸收率大約是25%，在基本波長1064nm下的吸收率則不到10%。同樣，銅（Cu）在UV波長355nm下的吸收率大約是60%，而在基本波長1064nm下的吸收率則不到10%。

2023-05-25 16:57:08肉加工中異物檢測難點: 食品的質量和安全是食品企業生產過程中面臨的難題，如何更好地使用各種檢測設備也是企業面臨的挑戰。賽默飛世爾科技提供從農場到餐桌的一站式檢測解決方案。在肉制品行業生產加工環節，我們保障您的產品，保護您的品牌。Q1屠宰線可否安裝白條金屬探測器，用來在線檢測針頭？一般屠宰線不推薦安裝白條金屬探測器，而在分割肉的流水線上安裝，金屬探測器采用開口 450 毫米寬 x250 毫米高。影響金屬探測器靈敏度因素有產品本身導電性和導磁性的效應、金屬探測器不同發射頻率、不同金屬材質類型、開口尺寸大小、金屬異物通過金屬探測器的不同位置、金屬絲和防疫針方向性、以及產品通過金屬探測器時的速度。白條肉尺寸太大，需要很大開口的金屬探測器，無法檢出防疫針頭。如下圖所示，假設一條鐵絲垂直穿過探測孔，引起的磁場變化最強，得到最強的信號，從而容易就被檢測出來。當鐵絲于開口時，引起的磁場變化相對較弱，得到信號值也較弱，因此檢測起來有難度，發生漏檢問題。賽默飛的 Sentinel 5000 采用五頻同步掃描檢測，為了達到更高的食品安全水平要求，Thermo Scientific? Sentinel? 研發出了采用多頻掃描技術的金屬探測器。多頻同步掃描技術同時使用五個工作頻率，金屬污染物在每個工作頻率下產生獨特的響應。這就像擁有五個合為一體的獨立金屬探測器一樣，每臺探測器都能以不同的頻率來尋找污染物。當金屬絲方向在一個頻率上的信號很弱時，在另一個不同的頻率上會有很強的信號值，從而增加污染物被檢測到的概率。為了測試多頻掃描技術，研究人員使用680克袋裝新鮮蔬菜沙拉進行對照實驗：密封塑料包裝袋，保持水分和營養，因此具有很高的產品效應。沙拉里有一根線徑 0.643 毫米 x10 毫米長金屬絲。根據金屬絲相對于探測孔呈四種不同的方向，分別進行測定：0 度（與孔徑平行）、30度、60 度和 90 度（與孔徑垂直），并用老款的單個固定頻率金屬探測器進行同樣的測定進行對比。單頻金屬探測器在某些方向上無法可靠地檢測到金屬絲。對比之下，Sentinel 5000 多頻同步掃描金屬探測器卻可以可靠地檢測到所有方向的金屬絲。多頻掃描技術在肉制品檢測防疫針斷針方面的優勢是顯而易見的。Q2 鋁膜包裝的禽類產品推薦用什么異物檢測？金屬探測器一般采用兩種方式：98%采用平衡線圈檢測電磁場變化，另一種則為永磁鐵檢測磁場變化。永磁鐵方式只能檢測導磁性金屬：鐵和不銹鋼 304 金屬，但在食品廠普遍采用不銹鋼 316 或鋁合金周轉托盤，并且電氣導線都采用銅絲這樣的非鐵金屬；因此，平衡線圈原理的金屬探測器普遍被采用來檢測所有類型的金屬異物。平衡線圈檢測電磁場變化的檢測頭內部都是由三組線圈組成，包含中間的發射線圈及兩側等距離的接收線圈。通過中間的發射線圈由電磁波發生器產生高頻電磁場，兩側的接收線圈把感應到的電磁場變化轉換為電壓變化。當導磁性金屬靠近接收線圈時電磁場增強，導磁性金屬穿過二個接收線圈時電壓有高到低變化；當非磁性金屬靠近接收線圈時電磁場減弱，非磁性金屬穿過二個接收線圈時電壓有低到高變化，根據電壓變化和探測算法來判斷是否含有金屬異物。由于采用高頻交變磁場容易受到如變頻器等其他設備和振動引起的電磁干擾，有些＂潮濕＂產品或本身具有導電性（即產品效應)的產品干擾小金屬檢測，要快速準確探測到小金屬必須采用特殊濾波方法。20多年前英國的 Goring Kerr 首先研發出 DSP (動態濾波)技術，把合成數字濾波加載到信號處理器中成為特殊集成電路處理器，能有效克服產品效應、散料效應和干擾噪聲的影響。1948 年成立專業生產金屬檢測和X射線檢測的 Goring Kerr 公司。1999 年成為賽默飛世爾科技公司旗下的公司。為紀念 Goring Kerr 研發出 DSP 技術賽默飛世爾科技公司的金屬檢測以前產品都命名為 DSP 系列。鋁膜包裝產品要檢出鋁、銅或不銹鋼 316L 只能采用 X 射線檢出系統，因為平衡線圈原理的金屬探測器，無論采用最低 50 kHz 的低頻，還是通過賽默飛獨有的 IXR (電磁信號智能跟蹤)技術：采用抵消 X（導磁性）和 R（導電性）產品信號，僅留下需探測的金屬污染物信號值的方法，都無法屏蔽金屬包材的影響。Q3 肉食品加工行業的最終產品為入口的產品，因此對于生產過程中的衛生有一定的要求，如何保證在檢測過程中不被二次污染？金屬檢測機采用高頻振蕩平衡接受原理來檢測金屬異物。被檢測產品穿過金屬檢測機與被檢測產品完全不接觸。但是，如何檢驗金屬檢測機工作狀況，即如何判斷檢測金屬靈敏度下降？一般采用球形金屬作為一種標準(如同檢驗秤的砝碼)，用于檢測金屬檢測機的靈敏度，已成為一種行業標準。有幾個因素必須考慮：首先，必須注意到，任何金屬探測器的靈敏度在它的整個孔徑上是變化的，中心點是靈敏度最小的點。第二，所有產品都對金屬探測器的靈敏度產生不同的影響。在有些情況下，這種影響很小（這些產品通常被稱為“干產品”）。而另一些產品，對金屬探測器的靈敏度產生很大的影響（這些產品通常被稱為“濕產品”）。所有金屬探測器都必須能夠正確地補償產品的這種影響，從而保證不會將未被污染的產品排除出去。總的來說，當產品影響增大時，金屬探測器能夠實現的靈敏度下降。當通過金屬探測器的靈敏度進行檢查時，測試體必須具有相同的孔徑相對位置，并且必須在產品存在的情況下進行測試。在真正的生產位置上精確地、可重復地進行這樣的測試是相當難的。為了使典型試驗具有合理性，通常需要進行特殊試驗（當產品很多時，每班都需要進行這樣的特殊試驗）。在許多情況下，為了在生產線上引入測試包，生產必須被打斷。由于有這些麻煩，要保證穩定的污染程度，仍然是很難的。在有些場合下，傳統的人工測試方法是不可能實現所有測試目的和意圖的-例如，在管線上測試熱湯。在許多情況下，如果產品溫度隨著時間的推移發生變化，例如，在生產過程中，原有的冷凍產品發生融化，那么，就會產生測試結果的不穩定性。人工測試系統是一種定量方法（通過/失敗），而我們真正需要的是一種定性的方法。賽默飛公司的 AuditCheck 系統(美國專利號. 5,160,885)旨在為金屬探測器系統提供理想的自動化的靈敏度測試系統。與所有的經典的設計一樣，從表面上看， AuditCheck 是極其簡單的一種裝置。人們可能會問，“為什么以前沒有開發”？該裝置的貌似簡單掩蓋了這樣的事實，提供一個可靠的、無故障的裝置需要進行相當多的開發、研究。AuditCheck 系統利用這樣一個事實，金屬探測場中的各點的靈敏度是有固定的關系的。例如，將中心“C”處的靈敏度定義為“S”，將另一個點“A”的相應的靈敏度定義為“T”。如果“C”處的靈敏度為“S/Y”，那么，A 點的靈敏度就是“T/Y”。如果測出某一點的靈敏度，那么可以將此作為孔徑范圍內其他任意一點的靈敏度的參考值。這個事實就是 AuditCheck 設計的基礎。如何克服肉制品自身的導電性？如何控制分切肉的重量偏差？更多痛點問題敬請期待下期Q&A

2023-04-20 09:37:22BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta: BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta 電位分析儀BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta 電位分析儀——背向 + 90°散射粒度 + Zeta 電位三合一型儀器簡介BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及Zeta電位分析儀是BeNano 90+BeNano 180+BeNano Zeta 三合一的頂級光學檢測系統。該系統中集成了背向 +90°動態光散射 DLS、電泳光散射 ELS和靜態光散射技術 SLS，可以準確的檢測顆粒的粒徑及粒徑分布，Zeta 電位，高分子和蛋白體系的分子量信息等參數，可廣泛的應用于化學、化工、生物、制藥、食品、材料等領域的基礎研究和質量分析與控制。指標與性能Index＆performance粒徑測試原理：動態光散射技術粒徑范圍：0.3 nm – 15 μm樣品量：3 μL - 1 mL檢測角度：173°+90°+12°分析算法：Cumulants、通用模式、CONTIN、NNLSZeta電位測試原理：相位分析光散射技術檢測角度：12°Zeta范圍：無實際限制電泳遷移率范圍：> ±20 μ.cm/V.s電導率范圍：0 - 260 mS/cmZeta測試粒徑范圍：2 nm – 110 μm分子量測試分子量范圍：342 Da – 2 x 107 Da微流變測試頻率范圍：0.2 – 1.3 x 107 rad/s測試能力：均方位移、復數模量、彈性模量、粘性模量、蠕變柔量粘度和折光率測試粘度范圍：0.01 cp – 100 cp折光率范圍：1.3-1.6趨勢測試模式：時間和溫度系統參數溫控范圍：-15° C - 110° C+/- 0.1°C冷凝控制：干燥空氣或者氮氣標準激光光源：50 mW 高性能固體激光器， 671 nm相關器：最快25 ns采樣，最多 4000 通道，1011 動態線性范圍檢測器：APD （高性能雪崩光電二極管）光強控制：0.0001% - 100%，手動或自動軟件中文和英文符合21CFR Part 11原理圖儀器檢測檢測參數顆粒體系的光強、體積、面積和數量分布顆粒體系的 Zeta 電位及其分布分子量分布系數 PD.I擴散系數 D流體力學直徑 D H顆粒間相互作用力因子 k D溶液粘度檢測技術動態光散射電泳光散射靜態光散射

2022-07-14 15:06:51淺談掃描俄歇納米探針: 簡介掃描俄歇納米探針，又稱俄歇電子能譜（Auger Electron Spectroscopy，簡稱AES）是一種表面科學和材料科學的分析技術。根據分析俄歇電子的基本特性得到材料表面元素成分（部分化學態）定性或定量信息。可以對納米級形貌進行觀察和成分表征。近年來，隨著超高真空和能譜檢測技術的發展，掃描俄歇納米探針作為一種極為有效的表面分析工具，為探索和研究表面現象的理論和工藝問題，做出了巨大貢獻，日益受到科研工作者的普遍重視。俄歇電子能譜常常應用在包括半導體芯片成分表征等方向發展歷史近年來，固體表面分析方法獲得了迅速的發展，它是目前分析化學領域中最活躍的分支之一。它的發展與催化研究、材料科學和微型電子器件研制等有關領域內迫切需要了解各種固體表面現象密切相關。各種表面分析方法的建立又為這些領域的研究創造了很有利的條件。在表面組分分析方法中，除化學分析用光電子能譜以外，俄歇電子能譜是最重要的一種。目前它已廣泛地應用于化學、物理、半導體、電子、冶金等有關研究領域中。俄歇現象于1925年由P.Auger發現。28 年以后，J.J.Lander從二次電子能量分布曲線中第一次辨認出俄歇電子譜線，但是由于俄歇電子譜線強度低，它常常被淹沒在非彈性散射電子的背景中，所以檢測它比較困難。 1968年，L.A.Harris 提出了一種“相敏檢測”方法，大大改善了信噪比，使俄歇信號的檢測成為可能。以后隨著能量分析器的完善,使俄歇譜儀達到了可以實用的階段。 1969年圓筒形電子能量分析器應用于AES, 進一步提高了分析的速度和靈敏度。 1970年通過掃描細聚焦電子束,實現了表面組分的兩維分布的分析(所得圖像稱俄歇圖)，出現了掃描俄歇微探針儀器。 1972年，R.W.Palmberg利用離子濺射，將表面逐層剝離，獲得了元素的深度分析，實現了三維分析。至此，俄歇譜儀的基本格局已經確定， AES已迅速地發展成為強有力的固體表面化學分析方法，開始被廣泛使用。基本原理俄歇電子是由于原子中的電子被激發而產生的次級電子。當原子內殼層的電子被激發形成一個空穴時，電子從外殼層躍遷到內殼層的空穴并釋放出光子能量；這種光子能量被另一個電子吸收，導致其從原子激發出來。這個被激發的電子就是俄歇電子。這個過程被稱為俄歇效應。Auger electron emission 入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。對于一個原子來說,激發態原子在釋放能量時只能進行一種發射：特征X射線或俄歇電子。原子序數大的元素，特征X射線的發射幾率較大，原子序數小的元素，俄歇電子發射幾率較大，當原子序數為33時，兩種發射幾率大致相等。因此，俄歇電子能譜適用于輕元素的分析。如果電子束將某原子K層電子激發為自由電子，L層電子躍遷到K層，釋放的能量又將L層的另一個電子激發為俄歇電子，這個俄歇電子就稱為KLL俄歇電子。同樣，LMM俄歇電子是L層電子被激發，M層電子填充到L層，釋放的能量又使另一個M層電子激發所形成的俄歇電子。只要測定出俄歇電子的能量，對照現有的俄歇電子能量圖表，即可確定樣品表面的成份。由于一次電子束能量遠高于原子內層軌道的能量，可以激發出多個內層電子，會產生多種俄歇躍遷，因此,在俄歇電子能譜圖上會有多組俄歇峰，雖然使定性分析變得復雜，但依靠多個俄歇峰,會使得定性分析準確度很高，可以進行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時,還可以利用俄歇電子的強度和樣品中原子濃度的線性關系,進行元素的半定量分析,俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為5nm以內,檢出限可達到0.1%atom。是一種很有用的分析方法。系統組成 AES主要由超高真空系統、肖特基場發射電子槍、CMA同軸式筒鏡能量分析器、五軸樣品臺、離子槍等組成。以ULVAC-PHI的PHI 710舉例，其核心分析能力為25 kV肖特基熱場發射電子源，與筒鏡式電子能量分析器CMA同軸。伴隨著這一核心技術是閃爍二次電子探測器、高性能低電壓浮式氬濺射離子槍、高精度自動的五軸樣品臺和PHI創新的儀器控制和數據處理軟件包：SmartSoft AES ? 和 MultiPak ?。并且，目前ULVAC-PHI的PHI 710可以擴展冷脆斷樣品臺、EDS、EBSD、BSE、FIB等技術，深受廣大用戶認可。PHI710激發源，分析器和探測器結構示意圖：為滿足當今納米材料的應用需求，PHI 710提供了最高穩定性的 AES 成像平臺。隔聲罩、低噪聲電子系統、穩定的樣品臺和可靠的成像匹配軟件可實現 AES對納米級形貌特征的成像和采譜。真正的超高真空（UHV）可保證分析過程中樣品不受污染，可進行明確、準確的表面表征。測試腔室的真空是由差分離子泵和鈦升華泵（TSP）抽氣實現的。肖特基場發射源有獨立的抽氣系統以確保發射源壽命。最新的磁懸浮渦輪分子泵技術用于系統粗抽，樣品引入室抽真空，和差分濺射離子槍抽氣。為了連接其他分析技術，如EBSD、 FIB、 EDS 和BSE，標配是一個多技術測試腔體。 PHI 710 是由安裝在一個帶有 Microsoft Windows ? 操作系統的專用 PC 里的PHI SmartSoft-AES 儀器操作軟件來控制的。所有PHI電子光譜產品都包括執行行業標準的 PHI MultiPak 數據處理軟件用于獲取數據的最大信息。710 可應用互聯網，使用標準的通信協議進行遠程操作。AES的應用掃描俄歇納米探針可分析原材料（粉末顆粒，片材等）表面組成，晶粒觀察，金相分布，晶間晶界偏析，又可以分析材料表面缺陷如納米尺度的顆粒物、磨痕、污染、腐蝕、摻雜、吸附等，還具備深度剖析功能表征鈍化層，包覆層，摻雜深度，納米級多層膜層結構等。AES的分析深度4-50 ?，二次電子成像的空間分辨可達 3納米，成分分布像可達8納米，分析材料表面元素組成（Li ~ U），是真正的納米級表面成分分析設備。可滿足合金、催化、半導體、能源電池材料、電子器件等材料和產品的分析需求。AES 應用的幾種例子，從左到右為半導體FIB-cut，鋰電陰極向陶瓷斷面分析小結本文小編粗淺的介紹了俄歇電子能譜AES的一些基礎知識，后續我們還會提供更有價值的知識和信息，希望大家持續關注“表面分析家”！