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2025-04-25 14:15:49溫度控制技術(shù): 溫度控制技術(shù)是指通過一系列設(shè)備和方法，對(duì)特定空間或物體的溫度進(jìn)行精確控制和調(diào)節(jié)的技術(shù)。它廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)、實(shí)驗(yàn)室研究、醫(yī)療設(shè)備、食品加工等多個(gè)領(lǐng)域。該技術(shù)通過傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度，并通過加熱或冷卻系統(tǒng)調(diào)節(jié)溫度，以達(dá)到預(yù)設(shè)的穩(wěn)定狀態(tài)。精確的溫度控制對(duì)于保證產(chǎn)品質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率、確保實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確性等至關(guān)重要。隨著科技的發(fā)展，溫度控制技術(shù)正朝著更高精度、智能化和自動(dòng)化的方向發(fā)展。

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溫度控制技術(shù)資訊

直播預(yù)告|《從基本制冷原理到頂級(jí)的低溫設(shè)備——如何發(fā)揮設(shè)備的低溫性能》

Quantum Design 中國子公司長期致力于為國內(nèi)用戶提供多種用途的頂級(jí)低溫光學(xué)、低溫強(qiáng)磁場(chǎng)設(shè)備和測(cè)量系統(tǒng)，了解這些頂級(jí)設(shè)備的特點(diǎn)并使設(shè)備發(fā)揮出應(yīng)有的性能將會(huì)有效地提升實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

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2022-05-31
低溫設(shè)備低溫強(qiáng)磁場(chǎng)設(shè)備測(cè)量系統(tǒng) 精準(zhǔn)溫度控制技術(shù)
國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)COD消解器的加熱溫度控制方法—標(biāo)準(zhǔn)COD消解器的Z*技術(shù)

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2019-12-09

溫度控制技術(shù)文章

解鎖恒溫恒濕試驗(yàn)箱工作原理：環(huán)境模擬的創(chuàng)新核心技術(shù)

恒溫恒濕試驗(yàn)箱憑借其創(chuàng)新的核心技術(shù)，在溫度、濕度控制以及系統(tǒng)協(xié)同等方面實(shí)現(xiàn)重大突破，持續(xù)拓展環(huán)境模擬的邊界，為新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力，在提升產(chǎn)品質(zhì)量、推動(dòng)科技進(jìn)步的征程中扮演著至關(guān)重要

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2025-04-10
智能控制系統(tǒng)遠(yuǎn)程監(jiān)控功能溫度控制技術(shù)
工業(yè)烤箱的溫度控制技術(shù)深度剖析

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2024-04-28
冷熱溫控試驗(yàn)箱溫度控制技術(shù)的穩(wěn)定性保障措施

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2024-07-29
快速溫變?cè)囼?yàn)箱溫度控制誤差降低：技術(shù)要點(diǎn)與操作指南

本文圍繞降低快速溫變?cè)囼?yàn)箱溫度控制誤差展開，闡述了多個(gè)技術(shù)要點(diǎn)與操作指南。包括優(yōu)化溫度傳感器，如選型、校準(zhǔn)、合理安排安裝位置和數(shù)量；

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2024-11-08
環(huán)境模擬試驗(yàn)箱立式快速溫變?cè)囼?yàn)箱智能快速溫變?cè)囼?yàn)箱

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溫度控制技術(shù)問答

2018-07-11 23:06:10請(qǐng)問大棚葡萄的溫度控制技術(shù):

2023-05-26 09:09:29自動(dòng)調(diào)節(jié)流體油循環(huán)溫度控制機(jī): 常規(guī)的油循環(huán)溫度控制機(jī)流量都是不能調(diào)節(jié)的，只能直進(jìn)直出，很多客戶因產(chǎn)品要求高所以設(shè)備出口流量需要可調(diào)節(jié)，可控制。下面小編給大家介紹下自動(dòng)調(diào)節(jié)流體油循環(huán)溫度控制機(jī)。自動(dòng)調(diào)節(jié)流體油循環(huán)溫度控制機(jī)，包括恒溫水箱，包括恒溫水箱的頂部開設(shè)有流體回口，恒溫水箱的側(cè)面底部開設(shè)有流體出口，流體出口遠(yuǎn)離恒溫水箱的一端螺栓連接有動(dòng)力管道，動(dòng)力管道的中部嵌合有高溫水泵，動(dòng)力管道遠(yuǎn)離流體出口的一端螺栓連接有直角管道，直角管道遠(yuǎn)離動(dòng)力管道的一端螺栓連接有電加熱器，電加熱器遠(yuǎn)離直角管道的一側(cè)螺栓連接有連接止回閥，連接止回閥遠(yuǎn)離電加熱器的一端螺栓連接有制冷換熱器。便于流體在各個(gè)管道之間流動(dòng)，降低了高溫水泵的負(fù)載，可以提高高溫水泵的使用壽命，能耗較低，降低了企業(yè)的生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的實(shí)際競(jìng)爭(zhēng)力。珞石機(jī)械是一家服務(wù)西部市場(chǎng)的工業(yè)流體控溫設(shè)備廠家，是一家從事模溫機(jī)、水（油）循環(huán)溫度控制機(jī)、冷熱一體機(jī)、壓鑄模溫機(jī)、防爆導(dǎo)熱油爐、有機(jī)熱載體爐、工業(yè)冷水機(jī)組等安全·智能加熱制冷溫控設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及服務(wù)的企業(yè)。

2023-04-23 16:09:52碳纖維壓成型加熱溫度控制機(jī)模溫機(jī): 技術(shù)領(lǐng)域：本實(shí)用新型涉及碳纖維壓成型加熱溫度控制機(jī)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種可移動(dòng)式碳纖維壓成型加熱溫度控制機(jī)。背景技術(shù)：模溫機(jī)由水箱、加熱冷卻系統(tǒng)、動(dòng)力傳輸系統(tǒng)、液位控制系統(tǒng)以及溫度傳感器、注入口等器件組成。通常情況下，動(dòng)力傳輸系統(tǒng)中的泵使熱流體從裝有內(nèi)置加熱器和冷卻器的水箱中到達(dá)模具，再從模具回到水箱；溫度傳感器測(cè)量熱流體的溫度并把數(shù)據(jù)傳送到控制部分的控制器；控制器調(diào)節(jié)熱流體的溫度，從而間接調(diào)節(jié)模具的溫度。如果模溫機(jī)在生產(chǎn)中，模具的溫度超過控制器的設(shè)定值，控制器就會(huì)打開電磁閥接通進(jìn)水管，直到熱流液的溫度，即模具的溫度回到設(shè)定值。如果模具溫度低于設(shè)定值，控制器就會(huì)打開加熱器，但是傳統(tǒng)的碳纖維壓成型加熱溫度控制機(jī)沒有實(shí)現(xiàn)一體化的操作，不夠方便并且成本太大。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種可移動(dòng)式碳纖維壓成型加熱溫度控制機(jī)，包括控制器、機(jī)殼、動(dòng)力器和工作主體，機(jī)殼右上方安裝有工作指示燈，機(jī)殼下端安裝有傳送履帶，傳送履帶內(nèi)端安裝有傳送輪，機(jī)殼一側(cè)安裝有位移傳感器，位移傳感器右下方安裝有外接環(huán)管，外接環(huán)管左下方安裝有抽水栗，機(jī)殼內(nèi)部左上方安裝有控制器，控制器一端安裝有數(shù)據(jù)處理器，控制器下端安裝有PLC電控單元，控制器通過PLC電控單元與動(dòng)力器相連，動(dòng)力器下端安裝有主動(dòng)輪，主動(dòng)輪左下端安裝有從動(dòng)輪，從動(dòng)輪一側(cè)安裝有降溫管器，降溫管器包括冷凝管、旋轉(zhuǎn)軸和旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)器，冷凝管一側(cè)安裝有旋轉(zhuǎn)軸，旋轉(zhuǎn)軸一側(cè)安裝有旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)器，降溫管器一端安裝有吸水管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，實(shí)用新型的有益效果是：可以方便的對(duì)機(jī)器進(jìn)行控制，安裝有發(fā)動(dòng)機(jī)，可以為整個(gè)機(jī)器提供動(dòng)力，安裝有工作主體，可以減少人工操作，達(dá)到自動(dòng)智能化的水平，安裝有數(shù)據(jù)處理器，可以處理來自其他裝置傳來的數(shù)據(jù)，也可以處理使用者發(fā)送的指令，安裝有降溫管器，可以進(jìn)行對(duì)于回流水的降溫工作，實(shí)現(xiàn)安全的目的，安裝有工作指示燈，可以在裝置處于非正常狀態(tài)時(shí)，發(fā)出報(bào)警，并且在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候可以自動(dòng)關(guān)停裝置，安裝有旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)器，可以幫助實(shí)現(xiàn)對(duì)于降溫管的旋轉(zhuǎn)工作，安裝有抽水栗，可以幫助進(jìn)行快速的抽水，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)科學(xué)合理，使用方便高效。

2022-11-18 16:15:48反應(yīng)離子刻蝕技術(shù): 反應(yīng)離子刻蝕概述：反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進(jìn)行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導(dǎo)體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。工作原理：通常情況下，反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的整個(gè)真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側(cè)面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個(gè)反應(yīng)室。對(duì)反應(yīng)腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場(chǎng), 在強(qiáng)電場(chǎng)作用下, 被高頻電場(chǎng)加速的雜散電子與氣體分子或原子進(jìn)行隨機(jī)碰撞, 當(dāng)電子能量大到一定程度時(shí), 隨機(jī)碰撞變?yōu)榉菑椥耘鲎? 產(chǎn)生二次電子發(fā)射, 它們又進(jìn)一步與氣體分子碰撞, 不斷激發(fā)或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復(fù)合。當(dāng)電子的產(chǎn)生和消失過程達(dá)到平衡時(shí), 放電能繼續(xù)不斷地維持下去。由非彈性碰撞產(chǎn)生的離子、電子及及游離基(游離態(tài)的原子、分子或原子團(tuán)) 也稱為等離子體, 具有很強(qiáng)的化學(xué)活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學(xué)反應(yīng), 形成揮發(fā)性物質(zhì), 達(dá)到腐蝕樣品表層的目的。同時(shí), 由于陰極附近的電場(chǎng)方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進(jìn)行物理轟擊, 使得反應(yīng)離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應(yīng)離子刻蝕包括物理和化學(xué)刻蝕兩者的結(jié)合。刻蝕氣體的選擇對(duì)于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對(duì)其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對(duì)于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團(tuán)反應(yīng)，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體。對(duì)于鍺材料、選用含F(xiàn) 的氣體是十分有效的。然而, 當(dāng)氣體成份中含有氫時(shí), 刻蝕將受到嚴(yán)重阻礙, 這是因?yàn)闅淇梢院头咏Y(jié)合, 形成穩(wěn)定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實(shí)驗(yàn)證明, SF6 氣體對(duì)Ge 有很好的腐蝕作用。反應(yīng)過程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發(fā)性氣體) 。設(shè)備：典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進(jìn)入，并通過底部離開真空泵系統(tǒng)。所用氣體的類型和數(shù)量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調(diào)節(jié)氣體流速和/或調(diào)節(jié)排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內(nèi)。存在其他類型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統(tǒng)中，利用RF供電的磁場(chǎng)產(chǎn)生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實(shí)現(xiàn)非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨(dú)的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產(chǎn)生定向電場(chǎng)以實(shí)現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。操作方法：通過向晶片盤片施加強(qiáng)RF（射頻）電磁場(chǎng)，在系統(tǒng)中啟動(dòng)等離子體。該場(chǎng)通常設(shè)定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場(chǎng)通過剝離電子來電離氣體分子，從而產(chǎn)生等離子體。在場(chǎng)的每個(gè)循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時(shí)撞擊室的上壁和晶片盤。同時(shí)，響應(yīng)于RF電場(chǎng)，更大質(zhì)量的離子移動(dòng)相對(duì)較少。當(dāng)電子被吸收到腔室壁中時(shí)，它們被簡(jiǎn)單地送到地面并且不會(huì)改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導(dǎo)致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產(chǎn)生大的負(fù)電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產(chǎn)生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但也可以通過轉(zhuǎn)移一些動(dòng)能來敲除（濺射）某些材料。由于反應(yīng)離子的大部分垂直傳遞，反應(yīng)離子蝕刻可以產(chǎn)生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學(xué)蝕刻的典型各向同性輪廓形成對(duì)比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù)，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進(jìn)版本是深反應(yīng)離子蝕刻，用于挖掘深部特征。