- 2025-04-16 14:59:01半導體激光器
- 半導體激光器是一種基于半導體材料的激光發射裝置，能夠在電激勵下產生相干光。這種激光器體積小、效率高，廣泛應用于通信、醫療和工業領域。
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半導體激光器資訊
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半導體激光器文章
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半導體激光器問答
- 2023-05-26 16:03:33【百特小課堂】半導體激光器的優點和缺點
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- 2021-09-03 14:04:33窄譜寬，高功率的半導體激光器，原來可以同時滿足！
- 眾所周知，在半導體激光器里，最常見的是高功率、寬譜寬的FP腔激光器，以及窄線寬、低功率的DFB激光器，而即擁有高功率又擁有窄線寬的激光器比較少見。近日，東隆科技新推出了一款高功率DFB半導體激光器，光纖輸出功率超過120mW，同時擁有MHz的線寬。它同樣采用的是分布式反饋(DFB)激光器，兼顧大功率和MHz級別窄線寬。可選波長為1270 nm,1290 nm,1310 nm,1330 nm等CWDM波段。標準為蝶形封裝，同時也接受其它封裝形式的客戶定制。產品特點：·高功率DFB激光器·輸出功率大于120mW·線寬MHZ·14PIN蝶形封裝，其他封裝可接受定制·波長范圍1270 nm，1290 nm，1310 nm，1330 nm （如需其它波長，請單獨咨詢）主要應用：·光通信·傳感·儀器儀表·雷達、測距產品參數：標準尺寸圖：管腳定義：典型P-I曲線測試舉例：
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- 2020-12-04 09:34:34安泰高精度電壓源在半導體激光器測試中的應用
- 半導體激光器是光纖通訊，激光顯示，氣體探測等領域中的核心部件，受到全世界科技人員的廣泛關注。在半導體激光器的生產、研發過程中，對激光器的光電特性的測量尤為重要，是控制激光器制備工藝的穩定性，激光器性能可靠性的關鍵環節。半導體激光器是半導體光電轉換器件。如圖1所示，半導體激光器由多層材料構成。自下而上包括背電極，襯底，下光限制層，下波導層，有源層，上波導層，上限制層，上電極。不同層由不同的外延材料組成。如此層狀結構是為了達到（1）載流子（電子，空穴）的注入復合發光，（2）光子橫向限制，形成光波導的目的。外延完成的層狀結構要經過刻蝕工藝，形成脊波導，在脊波導上制備接觸電極。如此脊波導的目的：（1）限制電流側向擴散，（2）形成光子的側向波導。制備完的圓片經過解理，鍍膜，燒焊，壓焊引線等工藝得到待測量的激光器，如同2所示。當向激光器電極注入電流時，激光器PN結兩側的電子和空穴大量的涌入有源區，在有源區電子空穴對復合，產生大量的光子，光子在波導的作用下沿軸方向傳播，在激光器端面，反射光形成激射條件，透射光則為激光器輸出的激光。激光器工作特性主要體現在（1）PN結特性，串聯電阻，（2）激光器的激射閾值，激光器斜率效率。這些特性決定了激光器的出光功率 ，功率轉換效率，工作壽命等性質。生產和科研過程中經常采用PIV測量方法獲得這些重要參數。ATS-2000V系列是一款高精度、高穩定性電壓輸出的電壓源。zui大輸出200V的電壓，最小電壓分辨率可達2μV，輸出精度高，噪聲低。操作面板液晶顯示，簡潔易懂，易于操作。系統結構簡單、精度高、可靠性好、速度快，提高生產效率的同時也增加了測試精度和可靠性，降低了大量測試的成本。集成PIV系統由系統主要由ATS-2000V雙通道精密源測量單元SMU、積分球、夾具及軟件組成。ATS-2000V的一個通道 作為激光器的電流源同時測量激光器的電壓V。LD的激射出光耦合入積分球，由積分球探測器轉化成光電流進入 ATS-2000V高精度電壓源的另一個通道，用ATS-2000V測得的光電流乘以積分球探測器功率電流轉換系數就得到了激光器的出光功率。B2900A由USB端口與PIV測量軟件連接，完成測量控制和數據采集。集成PIV系統的可擴充性也是其在半導體激光器研發領域應用中的突出的優點。集成PIV系統的硬件部分，包括ATS-2000V精密測量單元，測量平臺，由GPIB或USB等端口與計算機連接。因此，集成PIV系統硬件部分可以配合用戶通過 National Instrument 等軟件平臺編寫的測試軟件程序，完成用戶需要的，更為復雜的測量任務。在半導體激光器的生產和研發過程中，要對半導體激光器芯片進行大量的PIV測試。相比傳統的分立復雜的PIV測試系統，ATS-2000V精密測量單元集成的PIV測試系統具有系統結構簡單，操作方便，精度高，可靠性強，測量迅速等優勢，大大降低了激光器芯片PIV性能測量的操作成本，時間成本，同時增加了PIV測量的靈活性。ATS-2000V高精度電壓源將會在半導體激光器生產和科研等領域得到廣泛的應用。如需了解安泰高精度電壓源ATS-2000V更多產品應用及相關知識歡迎訪問安泰測試網。
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- 2018-12-04 16:15:54半導體激光器的發展過程
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- 2018-12-03 03:54:31半導體激光器束腰大小
- 各位好，向大家請教。 我有個半導體激光器，波長905nm，發光面積235x10um，快慢軸的發散角分別為20°，10°。請問下，快慢軸的束腰大小要如何計算，應該為多少呢？ 如快軸方向1um當成基模計算，像這種10um的是不是不能按基模計算了？ 非常感謝
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