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日本NEOARK 磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)
- 品牌:日本NEOARK
- 型號: Magneto_optic_Kerr_effect_syst
- 產地:亞洲 日本
- 供應商報價:面議
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上海昊量光電設備有限公司
更新時間:2025-04-27 13:46:07
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銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產品磁學測量(39件)
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產品介紹:
當一束線偏振光照被磁性介質反射后,反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度偏轉(克爾旋轉角),這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應。后來這一效應被用來材料磁特性的研究。磁光克爾效應測量系統(tǒng)就是一套準確測量克爾旋轉角的設備。磁光克爾效應測量系統(tǒng)是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉角準確測量的設備,使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的測量工具。廣泛的應用于磁性納米技術、磁性薄膜等磁學領域。
磁光克爾效應測量系統(tǒng)以激光作為光源,由于樣品磁光克爾效應的磁性信號主要來自于光斑照射的區(qū)域,因此磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有良好的局域性,可以實現(xiàn)在微米區(qū)域內材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作為“探針”,因此對樣品不會造成任何損傷,實現(xiàn)對樣品的無損測量,這對于需要做多次測量的樣品是有利的。
磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有極高的靈敏度,對克爾旋轉角的探測精度可達到±0.001度。這一點使該設備在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用鐵芯電磁特產生外加磁場,可以提供高達25KOe的外加磁場。
磁光克爾效應測量系統(tǒng)、磁性測量系統(tǒng)、MOKE system、微米區(qū)域克爾磁光效應測量系統(tǒng)、磁滯回線測量裝置
上海昊量光電設備有限公司的磁光克爾測量系統(tǒng)主要可分為以下三類:
① 極向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統(tǒng))
代表產品是BH-810系列。BH-810CPC25WF12磁光克爾效應(MOKE)測量設備是其中的一款,主要是對12英寸的垂直磁記錄介質磁特性的測量。可以準確的探測分析每個探測點的磁滯回線,該產品應用408nm的固體激光器,光斑直徑為1mm,外加磁場可高達25KOe。
磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)
② 向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統(tǒng))
代表產品BH-618系列。BH-618SK-CA12是一款自動測量晶圓磁特性和各向異性的磁光克爾測量系統(tǒng)。可以對12寸的晶圓進行多達400個不同點的磁滯回線的測量,并且探測結果以成像的形式顯示。
③ 微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng)(m-kerr system)(極向+縱向,MOKE磁滯回線測量系統(tǒng))
代表產品為BH-920系列。與前兩款產品相比, BH-920系列擁有更小的激光光斑,可以對微米區(qū)域內的磁特性進行研究。BH-P920-NH是可進行極向的微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng),該設備具有極高的靈敏度可達到0.001°。與BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探測靈敏度并且兼具進行極向和縱向測量。
u 主要特點
l 高性能
l 成本低
l 高靈敏度(0.001°)
l 高穩(wěn)定性
l 高外加磁場(25KOe)
u 主要應用
磁性納米技術、磁性薄膜,磁性材料等磁學領域
u 測量項目磁滯回線
X軸:外加磁場強度 H
Y軸:克爾旋轉角 qk
通過磁滯回線可獲得的參數(shù)
矯頑力 Hc
各向異性場 Hk
內稟矯頑力 Hn
飽和磁場強度 Hs
剩余磁化強度 qr
飽和磁化強度 qsu 產品主要參數(shù):
產品型號
參數(shù)
BH-PI920系列
BH-P920-NH
BH-PI920
BH-810CPC25WF12
BH-618SK-CA12
產品特點
微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量
極向微區(qū)域克爾測量裝置,具有高靈敏度
微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量,具有較高的靈敏度
極向磁光克爾效應測量,對PMR薄膜晶圓的磁特性測量
縱向磁光克爾測量系統(tǒng),可進行多點磁滯回線的測量
激光光源
半導體激光器(405nm)
半導體激光器(408nm)
半導體激光器(405nm)
光斑直徑
縱向測量
約 5mm [1/e2]
1-2mm
2-3mm
1mm
1′2mm
極向測量
約 2mm [1/e2]
探測靈敏度
± 0.005°
±0.001°
±0.001°
± 0.005°
± 0.005°
探測范圍
± 1°
外加磁場強度
極向磁體
>±10kOe
>±10kOe
極向磁場
>±1.5T
>±25kOe
>±0.2T
面內磁場
>±10kOe
面內磁場
>±1T
可測樣品大小
5′5′1tmm~10′10′1tmm
5′5~10′10mm
t:0.5~1mm
12inch wafer
12inch wafer
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