
- 2025-04-25 14:15:24失效分析探針臺
- 失效分析探針臺是半導體測試領域的關鍵設備,用于對芯片進行失效分析和電性能測試。它具備高精度定位能力,可準確地將探針接觸到芯片上的微小焊點,實現信號的傳輸與測試。該平臺集成了先進的顯微觀察系統,便于操作人員直觀觀察測試點狀態。此外,失效分析探針臺還具有良好的穩定性和兼容性,能適應不同類型的芯片測試需求,在半導體產業研發、質量控制等方面發揮著重要作用。
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- 失效分析探針臺 FA系列失效分析探針臺FA8
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- FA(失效分析)專用激光探針臺系統
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上海波銘科學儀器有限公司
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- 高低溫探針臺
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北方華測(蘇州)測控技術有限公司
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北方華測(蘇州)測控技術有限公司
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- 華測溫控探針臺/冷熱臺
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北京華測試驗儀器有限公司
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失效分析探針臺問答
- 2023-07-31 16:55:12微電容單通道叉指電極真空探針臺用途介紹
- 叉指微電極因其微小的電極間距結構,可用于各種小型化傳感器。對于傳統分析檢測,包括色譜法、光譜法、質譜等方法,大多都需要昂貴的儀器和多種操作步驟,使得許多實際問題仍面臨困難。開發高靈敏度、低成本、小型化的傳感器尤為重要。本文綜述了叉指微電極的研究進展,介紹了基于叉指微電極的傳感器在各領域的廣泛應用。 小型真空探針臺鄭科探 KT-Z4019MRL4T是一款性高價比配置的真空高低溫探針臺。高溫400℃ 低-196℃ 測試噪聲小于5E-13A 可擴展上下雙透視窗口用于光電測試 可擴展凹視鏡。公司致力于各類探針臺,(包括手動與自動探針臺、雙面探針臺、真空探針臺、)、顯微鏡成像、光電一體化的技術研發,擁有國內專業的技術研發團隊,在探針臺電學量測方面擁有近十年的經驗團隊。微電容單通道叉指電極探針臺微電容單通道叉指電極探針臺KT-Z4019MRL4T真空腔體類型高溫型室溫到400℃高低溫型 室溫到400℃ 室溫到-196℃腔體材質304不銹鋼 6061鋁合金 可選腔體內尺寸127mmX57mmX20mm腔體外尺寸150mmX80mmX32mm腔體重量不銹鋼材質 約1.5KG 鋁合金材質 約0.5KG腔體上視窗尺寸Φ42mm(可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離)腔體抽氣口KF16法蘭(其余接口規格可轉接)腔體真空測量口KF16法蘭(其余接口規格可轉接)腔體進氣口6mm快擰 或 6mm快插腔體冷卻方式腔體水冷+上蓋氣冷腔體水冷接口腔體正壓≤0.05MPa腔體真空度機械泵≤5Pa (5分鐘) 分子泵≤5E-3Pa(30分鐘)樣品臺樣品臺材質不銹鋼 銀銅合金 純銀塊銀銅合金 純銀塊樣品臺尺寸26x26mm樣品臺加熱方式電阻加熱電阻加熱 液氮制冷樣品臺-視窗 距離11mm(可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離到6mm)樣品臺測溫傳感器PT100型熱電阻樣品臺溫度室溫到400℃室溫到400℃ 室溫到-196℃樣品臺測溫誤差±0.5℃樣品臺升溫速率高溫100℃/min 值 低溫7℃/min溫控儀溫度顯示7寸人機界面溫控類型標準PID溫控 +自整定溫度分辨率0.1℃溫控精度±0.5℃溫度信號輸入類型PT100 (可選K S B型熱電偶)溫控輸出直流線性電源加熱直流線性電源加熱+液氮流速控制器輔助功能溫度數據采集并導出 實時溫度曲線+歷史溫度曲線 可擴展真空讀數接口溫控器尺寸32cmX170cmX380cm溫控器重量約5.6KG探針電信號接頭配線轉接 BNC接頭 BNC三同軸接頭 SMA 接頭 香蕉插頭 線長1.2米電學性能絕緣電阻 ≥4000MΩ 介質耐壓 ≤200V 電流噪聲 ≤10pA探針數量4探針(可擴展5探針)探針材質鍍金鎢針 (其他材質可選)探針尖10μm手動探針移動平臺X軸移動行程20mm ±10mm(需手動推動滑臺)X軸控制精度≥500μmR軸移動行程120° ±60°(需手動旋轉探針桿)R軸控制精度≥500μmZ軸移動行程2mm ±1mmZ軸控制精度≤50μm(需手動螺紋調節探針桿)
161人看過
- 2023-07-29 15:20:25高低溫探針臺-解釋塞貝克系數測量原理及系數
- 塞貝克系數(Seebeck Coefficient)也稱為熱電偶效應或Seebeck效應,是指兩種不同導體(或半導體)材料在一定溫差下產生熱電動勢的現象。塞貝克系數是研究熱電材料(將熱能轉化為電能的材料)非常重要的一個參數,它用來衡量材料在一定溫差下產生的熱電壓。 塞貝克系數的測量方法有很多種,其中一種常用的方法是恒流法。首先準備一個熱電偶,它由兩種不同材料的導線組成。然后將熱電偶的其中一個節點保持在恒定的高溫T1,而另一個節點保持在低溫T2(不同于T1),使熱電偶產生熱電動勢(熱電壓)。通過測量恒流狀態下的電壓值V以及溫差ΔT,可以計算出塞貝克系數: S = V / ΔT。 另外,還有一些其他的測量方法如閉環法、開路法等,各種方法都有其優缺點,具體選擇哪種方法取決于實際的測試環境和需求。解釋塞貝克系數測量原理。塞貝克系數(也稱為Seebeck系數)是一個描述一個材料熱電效應特性的參數,具體地說,它表示了一個材料中的電流與橫向溫差將產生的電壓之間的關系。測量塞貝克系數的原理主要基于Seebeck效應。Seebeck效應是指在一種導體材料中,當兩個不同導體之間有一個溫差時,將產生一個電壓。 測量塞貝克系數的實驗裝置通常包括以下部分:1. 絕熱材料底座:確保測試樣品的溫度穩定。2. 樣品夾持器:保持測試樣品的固定。3. 加熱器:用于在樣品的一端創建溫差,從而在樣品中產生Seebeck電壓。4. 冷卻器:在樣品的另一端保持較低的溫度。5. 熱電偶:用于測量樣品兩端的溫差。6. 電壓測量儀器:用于測量生成的Seebeck電壓。 在測量過程中,首先將測試樣品固定在夾持器中,然后通過在樣品的一端加熱和在另一端冷卻來創建穩定的溫差。Seebeck電壓將在樣品兩端形成,然后可以使用電壓測量儀器將其測量出來。計算塞貝克系數所需的公式是: Seebeck系數 = (產生的電壓) / (熱電偶測量的溫差) 通過測量此特定溫差下生成的Seebeck電壓,我們可以計算出材料的塞貝克系數。
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- 2023-06-12 16:02:54邀請函 | 半導體產業失效分析解決方案線上論壇
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- 2023-06-09 14:38:16報名時間延長 | 第八屆全國失效分析大獎賽
- 關于大賽報名截止時間延期的通知應廣大參賽單位反饋,鑒于大賽報名期間正值高校老師研究生和本科生答辯工作期間,考慮到為老師們留出充足的時間來組織大賽報名和參賽課題的準備,“歐波同杯”第八屆全國失效分析大獎賽暨第六屆全國材料專業大學生研究能力挑戰賽(以下簡稱“大賽”)賽委會決定將大賽報名截止時間延期到2023年6月30日,望周知!
75人看過
- 2023-07-08 15:42:40真空高低溫探針臺 用于傳感器 半導體 光電集成電路以及封裝的測試
- 型號 KT-0904T-RL 加熱制冷 KT-0904T 不帶加熱制冷 KT-0904T-R 加熱 類型 加熱型 400℃ 加熱制冷型室溫到-190℃-350℃ 低溫型:室溫到-190℃ 腔體材質 304 不銹鋼 腔體內尺寸 φ90x40mm 腔體上視窗尺寸 Φ42mm(選配凹視窗Φ22mm) 腔體抽氣口 KF16 腔體進氣口 公制 3mm 6mm 氣管接頭 英制 1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選 腔體出氣口 公制 3mm 6mm 氣管接頭 英制 1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選 腔體正壓 ≤0.05MPa 腔體真空度 機械泵≤5Pa (5 分鐘) 分子泵≤5E-3Pa(30 分鐘) 樣品臺 樣品臺材質 304 不銹鋼 樣品臺尺寸 26X26mm 樣品臺-視窗 距離 30mm(可選凹視窗間距 15mm) 樣品臺測溫傳感器 A 級 PT100 鉑電阻 樣品臺溫度 室溫到 350℃(可選高低溫樣品臺 高溫 350℃低溫-190℃) 樣品臺測溫誤差 ±0.2℃ 樣品臺變溫速率 高溫 10℃/min 低溫 5℃/min 溫控儀
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