
- 2025-01-10 17:05:18微納光學(xué)元件制造
- 微納光學(xué)元件制造是指通過精密加工技術(shù),制造尺寸在微米至納米量級(jí)的光學(xué)元件。這些元件具有獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì),如光的操控、聚焦、偏振等,在光通信、光電子、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。制造過程涉及高精度的材料切割、刻蝕、鍍膜等工藝,要求極高的加工精度和表面質(zhì)量。微納光學(xué)元件的制造推動(dòng)了光學(xué)技術(shù)的微型化和集成化,是現(xiàn)代光學(xué)科技發(fā)展的重要方向之一。
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微納光學(xué)元件制造資訊
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- 客戶成就 |3D打印復(fù)消色透鏡應(yīng)用于無像差成像
- 從宏觀角度來講,復(fù)合透鏡由具有不同光學(xué)特性的材料制成,通常用于校正望遠(yuǎn)鏡或顯微鏡物鏡等高質(zhì)量光學(xué)系統(tǒng)中的色像差。
微納光學(xué)元件制造產(chǎn)品
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微納光學(xué)元件制造問答
- 2023-02-05 09:13:27納克微束祝您元宵節(jié)快樂!
- 萬家燈火,歡樂元宵!納克微束祝大家好夢(mèng)皆圓!
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- 2023-02-01 14:56:12蔡司激光共聚焦顯微鏡-微納器件的表征分析
- 對(duì)微納器件進(jìn)行表征時(shí),常關(guān)注的便是器件的表面形貌和三維尺寸信息,比如粗糙度、深度、體積等,這些都是評(píng)價(jià)微納加工工藝的重要指標(biāo)。然而,在進(jìn)行表面三維的分析工作中,我們可能常遇到這樣的苦惱: 光學(xué)明場(chǎng)無法直接定位到亞微米級(jí)缺陷結(jié)構(gòu)! 樣品結(jié)構(gòu)太復(fù)雜,微弱信號(hào)無法捕獲,難以準(zhǔn)確測(cè)量尺度信息! 三維接觸式測(cè)量經(jīng)常會(huì)損傷柔軟樣品,導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確! 今天,友碩小編將從下面幾個(gè)角度來看看蔡司激光共聚焦顯微鏡如何幫助你更好地解決這些問題。 失效分析:多尺度多維度原位分析! 器件表面往往存在一些特殊的結(jié)構(gòu)或缺陷,比如亞微米尺度的劃痕,這些特征難以在光學(xué)明場(chǎng)下被直接觀察到。C-DIC(圓微分干涉)觀察模式可以讓樣品表面亞微米尺度的微小起伏都可以呈現(xiàn)出浮雕效果,幫助我們快速定位并開展下一步的分析工作。 ▲ 不同觀察方式下晶圓表面缺陷 在定位到感興趣區(qū)域后,可以直接切換到共聚焦模式,進(jìn)行表面三維形貌掃描,并進(jìn)行尺寸測(cè)量及分析,無需轉(zhuǎn)移樣品即可完成樣品多尺度多維度的表征。 ▲共聚焦三維圖像及深度測(cè)量 對(duì)于某些樣品,暗場(chǎng)和熒光模式也是一種很好定位方法,表面起伏的結(jié)構(gòu)在暗場(chǎng)下尤其明顯,如藍(lán)寶石這類能發(fā)熒光的晶圓,利用熒光成像也能幫助我們快速地定位到失效結(jié)構(gòu)。甚至,共聚焦還可以和電鏡或者雙束電鏡(FIB)(點(diǎn)擊查看)實(shí)現(xiàn)原位關(guān)聯(lián),在共聚焦顯微鏡下進(jìn)行定位后轉(zhuǎn)移樣品到電鏡下進(jìn)行更高分辨的表征分析。 深硅刻蝕:結(jié)構(gòu)深,信號(hào)弱,蔡司激光共聚焦顯微鏡有辦法! 深硅刻蝕的樣品通常為窄而深的溝壑結(jié)構(gòu)。接觸式測(cè)量(如臺(tái)階儀)無法接觸到溝壑底部測(cè)得信息,而由于結(jié)構(gòu)特殊造成了反射光信號(hào)損失,常規(guī)白光干涉或者顯微明場(chǎng)無法捕獲底面的微弱信號(hào)。因此,不得不對(duì)樣品進(jìn)行裂片分析,這不僅破壞了樣品,而且還使分析流程復(fù)雜化。 西湖大學(xué)張先鋒老師用蔡司激光共聚焦顯微鏡對(duì)深163.905 μm,寬3.734μm的刻蝕坑進(jìn)行成像,高靈敏探測(cè)器、大功率激光及Z Brightness Correction技術(shù)可以幫助成功檢測(cè)到底部的微弱信號(hào),完成大深寬比(近50:1)樣品的三維形貌表征與測(cè)量,輕松實(shí)現(xiàn)無損檢測(cè)分析。
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- 2023-06-08 17:52:34邀請(qǐng)函|飛納電鏡邀您參加微納科技與先進(jìn)材料創(chuàng)新大會(huì) 2023
- 復(fù)納INVITATION微納科技與先進(jìn)材料創(chuàng)新大會(huì)(2023)將于 6 月 10 日 - 12 日在重慶舉辦。本次會(huì)議旨在凝聚優(yōu)勢(shì)力量、加強(qiáng)納米科學(xué)與微納制造技術(shù)的基礎(chǔ)研究與應(yīng)用研究,促進(jìn)多學(xué)科交叉融合,促進(jìn)先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展。時(shí)間:2023 年 6 月 10 日 - 12 日地點(diǎn):重慶兩江云頂大酒店復(fù)納科技展位號(hào):7 號(hào)新興的微納材料在電子、通信和物聯(lián)網(wǎng)、能源存儲(chǔ)、化工和燃料生產(chǎn)、醫(yī)療保健、藥物輸送等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。納米材料的性質(zhì)與其組成和表面形貌有很大的關(guān)系,復(fù)納科技擁有一系列高精尖的分析檢測(cè)儀器與先進(jìn)的解決方案,可以對(duì)納米材料進(jìn)行分析表征和改性。歡迎各位老師同行蒞臨【7】號(hào)展位,和我們一起探討交流!莊思濛 復(fù)納科技產(chǎn)品經(jīng)理報(bào)告時(shí)間:6月12日 16:05-16:25本次會(huì)議中,復(fù)納科技產(chǎn)品經(jīng)理莊思濛將在“微納技術(shù)在新能源電池領(lǐng)域中的應(yīng)用技術(shù)”分會(huì)場(chǎng)帶來《電池粉末原子層沉積包覆改性及原位電鏡表征方案》的主題報(bào)告。1、Phenom-飛納臺(tái)式掃描電鏡飛納臺(tái)式掃描電鏡操作簡(jiǎn)單,效率高,成像質(zhì)量高,其優(yōu)異的低真空模式可實(shí)現(xiàn)無需噴金直接觀察不導(dǎo)電樣品。最 新的第二代場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 Phenom Pharos G2 分辨率優(yōu)于 1.5nm,是分辨率最 高的臺(tái)式掃描電鏡,是納米材料表征的強(qiáng)有力工具。Phenom Pharos G2飛納臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡Phenom XL G2飛納臺(tái)式掃描電鏡大樣品室卓 越版Phenom ProX飛納臺(tái)式掃描電鏡能譜一體機(jī)2、Forge Nano-原子層沉積系統(tǒng)ALD 原子層沉積技術(shù)已被證明可用于多種組分以及納米結(jié)構(gòu)的制備,包括單原子 / 團(tuán)簇催化劑、鋰電材料表面包覆等等。Forge Nano 設(shè)備基于 ALD 工藝可實(shí)現(xiàn)從毫克到千噸級(jí)的粉末包覆處理量,能夠有效提高電池化學(xué)性能與安全性。3、DENSsolutions-TEM 原位實(shí)驗(yàn)方案DENS 產(chǎn)品可以為 TEM 樣品施加外界刺激,實(shí)現(xiàn)在 TEM 中引入氣、液、熱、電等多種條件,捕捉 TEM 樣品在真實(shí)環(huán)境下的動(dòng)態(tài)現(xiàn)象。目前提供的四種原位實(shí)驗(yàn)方案:Wildfire TEM 原位加熱方案、Lightning TEM 原位熱電方案、Climate TEM 原位氣相加熱方案和 Stream TEM 原位液相加熱 / 加電方案。Wildfire 原位加熱樣品桿Lightning 原位熱電樣品桿Lightning 原位熱電樣品桿Stream 原位液相加熱/加電樣品桿Climate 原位氣相加熱樣品桿4、VSParticle-全自動(dòng)納米研究平臺(tái)VSParticle 設(shè)備采用火花燒蝕制備納米顆粒的技術(shù),可對(duì)產(chǎn)生的顆粒進(jìn)行粒徑的控制,從而獲得不同粒徑中位值的單分散納米氣溶膠。此外該技術(shù)也能用于進(jìn)行快速打印以及粉末表面的納米沉積。歡迎各位老師蒞臨展位與我們探討交流,我們將隨時(shí)為您提供專業(yè)的解答與支持,現(xiàn)場(chǎng)也有精美小禮品相送噢!
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