美國Trion Technology反應式離子刻蝕(RIE/ICP)系統及沉積(PECVD)系統

Trion始于一九八九年的等離子刻蝕與沉積系統制造商，Trion為化合物半導體、MEMS(微機電系統)、光電器件以及其他半導體市場提供多種設備。我們的產品在業內以系統占地面積最小、成本低而著稱，且設備及工藝的可靠性和穩定性久經考驗。從整套的批量生產用設備，到簡單的實驗室研發用系統，盡在Trion。 

Trion提供升級及回收方案給現有Matrix客戶。

批量生產用設備:

去膠系統

- 低損傷去膠系統

新式去膠系統的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通過兩套價格低廉、緊湊的多功能系統使這一關鍵問題得到解決：Gemini和Apollo。利用ICP(電感耦合等離子)、微波和射頻偏置功率，可以在低溫條件下將難于消除的光刻膠去除。根據應用要求，每套系統可以結合SST-Lightning 微波源(既可靠又沒有任何常見的微波調諧問題) 或ICP 技術。

? 刻蝕速率高達6微米/分 
? 高產量
? 等離子損傷低 
? 自動匹配單元
? 適用于100mm 到300mm 基片 
? 設備占地面積小
? 價格具競爭性

刻蝕/沉積

Titan是一套用于半導體生產的十分緊湊、全自動化、帶預真空室的等離子系統。

Titan具有反應離子刻蝕(RIE)配置、高密度電感耦合等離子沉積(HDICP)或等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。

刻蝕應用范圍： 
砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、磷化鎵、磷化銦、鋁、硅化物、鉻以及其他要求腐蝕性和非腐蝕性化學刻蝕的材料。

沉積應用范圍：
二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各種材料。

具有ICP選件的Titan系統

Oracle III由ZY真空傳輸系統(CVT)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與ZY負載鎖對接，既能夠以生產模式運行，也能夠作為單個系統獨立作業。 Oracle III是市場上最靈活的系統，既可以為實驗室環境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。

由于Oracle III 最多可容納四個獨立的工藝室，其可以有多種不同的工藝組合，其中包括RIE/ICP (反應離子刻蝕機/電感耦合等離子)刻蝕和PECVD 沉積。多個室可以同時工作。鑒于所有工藝室均有真空負載鎖，工藝運行安全且沒有大氣污染。

Oracle III是市場上最小的批量生產用集成系統。

深硅刻蝕:

- 5μm/min的刻蝕速率
- 小于6%的不均勻性
- 刻蝕深度可達300μm
- 相對于光刻膠15:1的選擇率
- 垂直光滑的壁面
- 縱橫比可達12:1

5 um wide Si trench etch

200um Si trench etch

120um Si Trench etch

40um wide x 320um deep
Slope approx. 88 degrees

Etching of GaAs/AlGaAs Heterostructures

InP Lens Etch 5.2 micron lens height with PR mask

GaN LED Etch 
2.6 micron depth with PR

小批量生產用設備:

沉積 (PECVD)

Minilock-Orion III是一套zui先進的等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統。 系統的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉積的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅。可以使用的反應氣體包括：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。

該系統可選配一個三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。其中三極管使得用戶可以創建高密度等離子，從而控制薄膜應力。基片通過預真空室裝入工藝室，其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產品接觸，從而提高了用戶的安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而保持反應室與大氣隔絕。

Minilock-Orion III PECVD

刻蝕 (RIE)

Minilock-Phantom III 具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產環境提供zui先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料。可選配靜電吸盤(E-chuck)，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器，及在基片背面保持一個氦冷卻層，從而達到控制基片溫度的作用。

該設備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源，其使得用戶可以創建高密度等離子，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。

Minilock-Phantom III具有ICP(感應耦合等離子)選項的刻蝕系統

實驗室/研發/芯片失效分析用設備:

沉積

Orion III 等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片(2” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產提供zui先進的沉積能力。Orion III系統用于非發火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅。工藝氣體 ：<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。該設備可選配一個ICP或三極管(Triode)源。

Orion III

刻蝕

Phantom III反應離子蝕刻(RIE)系統適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片300mm尺寸，為實驗室和試制線生產提供zui先進的等離子蝕刻能力。系統有多達七種工藝氣體可以用于蝕刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化學刻蝕的薄膜或基片(如碳、環氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢以及鎢鈦)

Phantom III

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Sirus T2 臺面式反應離子刻蝕機(RIE)可用于介質以及其它要求氟化基化學的薄膜刻蝕。用於對矽、 二氧化矽、 氮化矽、石英、聚亞醯胺、鉭、鎢、鎢鈦以及其他要求特徵控制，高度選擇性和良好一致性的材料進行蝕刻。 

本機包含200mm下電極, 系統控制器(含電腦主機及觸控介面)，13.56MHz, 300/600W 射頻發生器及自動調諧，最大四路/六路工藝氣體及自動壓力控制模塊等。占地面積小且堅固耐用，非常適合用於研發，實驗室環境及失效分析。

Sirus T2 - 臺面式反應離子刻蝕機