MOCVD被稱為有機金屬化學氣相沉積法，就是以金屬有機物(如TMGa, TMAI, TMIn, TEGa 等)和烷類(如

AsH3, PH3, NH3等)為原料進行化學氣相沉積生長單晶薄膜的一種技術，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延。金屬有機化合物大多是具有高蒸氣壓的液體，通過氫氣、氮氣或者其他惰性氣體作為載氣，將其攜帶出與烷類混合，再共同入反應室高溫下發生反應。

氫氣在MOCVD中擔當載氣，將III（II）金屬有機物和V（VI）族氫化物以及摻雜源攜帶運輸到反應室內，為化學沉積反應和薄膜生長提供基礎。MOCVD要求氫氣純度≥99.999%（≥5N），進口壓力為4-7bar，而Proton G4800和S系列氫氣發生器所產氫氣可以符合這一領域的用氣需求。

                                 G4800氫氣發生器                              S系列氫氣發生器

其中，Proton G4800輸出氫氣的純度為99.9999%（6N），含水量小于1ppm,氫氣純度優于MOCVD設備的要求，有利于提高半導體薄膜品質和設備產出；同時，氫氣純度穩定不變，減少了氫氣純度波動對設備的影響。

    另外，G4800和S系列氫氣發生器是現場制氫，發生器內部氫氣儲藏量少。同時，內置可燃氣體探測器，一旦氫氣泄漏，發生器報警停機，將降低氫氣的危險系數。

    此外，該系列設備操作便捷，保障氫氣供應連續不間斷，用戶無需擔心氫氣用完，也無需和高壓氣體鋼瓶接觸。發生器自動運行，無需額外人工操作；發生器自動偵測自身工作狀態和錯誤，一旦偵測異常，發生器報警。